等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究材料物理与化学专业论文.docxVIP

等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究 等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究 握旦大擎 摘要 等离子体浸没注入(Plasma Immersion Ion Implantation，PIII)技术是一种新 型的离子注入技术，由于其拥有非视线性的特点，被广泛应用于材料表面处理工 艺。Pill技术从最初冶金学方面的应用，逐渐转向对生物高分子材料以及半导体 微电子材料领域。我们对自行搭建的PHI设备，进行了离子注入剂量标定以及材 料改性的一些研究。本论文使用PHI技术研究了P型ZnO材料制备和SOI(Silicon on Insulator)材料中氧注入的研究。 本文提出了一种全新的PHI剂量标定方法，该方法基于电流测量，采用电流 积分剔除二次电子影响，得到最后的离子注入剂量。当注入电压发生改变时(即 二次电子的产量发生变化)，在计算方法中引入电压矫正因子加以修正。当注入 电压脉宽发生改变时，基于Child-law的剂量标定理论模型存在着一定的误差， 本研究对加入了对电压脉宽的修正。 采用Pill技术制备P型ZnO的研究中，研究首先使用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，PLD)方法生长ZnO薄膜，再对其进行氮离子注入的掺杂。PIII 离子注入后，样品在800℃快速退火(Rapid Thermal Annealing，RTA)。使用PHI 变化电压的注入形式制备得到了氮掺杂的P型ZnO薄膜，其空穴载流子浓度为 9．74×1014 cm-3，接近1015 ella3浓度。而载流子迁移率为6．52 cm2·V-I．s-1。但当注 入剂量超过一定值，样品在退火后，其中的氮元素发生聚集形成叠氮化锌 Zn(N3)2。 使用掺杂磷元素的ZaO薄膜作为对比实验：采用原位生长PLD方法制备不 同掺杂浓度的ZnO薄膜样品，RTA退火处理。适量的五氧化二磷掺杂对ZaO的 结晶性能有所帮助，而2％浓度的掺杂浓度的结晶性能最好。RTA退火处理后， 可得到P型Zno薄膜，其空穴浓度为1．70x1017 cm-3，空穴迁移率为13．00 cm2．V一．S-I，同时探讨了磷掺杂P型ZnO的形成机理。 此外本文尝试了采用PHI技术取代SIMOX工艺中的注氧过程，以制备SOl 材料的可行性研究。不同工艺条件的氧离子注入样品，采用1300℃高温管式炉 退火。研究了退火前后存在的晶格缺陷以及变化，发现氧化层厚度与退火氛围以 及注入电压密切相关。 关键词：等离子体浸没注入，剂量标定，脉冲激光沉积，P型ZaO，离子注入 中图分类号：TN305 等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究 等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究 覆旦大擎 Abstract Plasma immersion ion implantation(PIII)is a new kind of technique which is widely used for the surface property improvement because of its non-line-of-sight character． PIll was first used for the metallurgical and tribological engineering，and then it was used in the field of bio-polymer macromolecular materials．Besides of these applications，PIII also shows the technology suitable in semiconductor and microelectronics processing．In this paper,we constructed the PIII equipment and did some research work．We used the PIII technique to fabricate nitrogen-doping ZnO thin fill by nitrogen ion implantation．Also we simulated the SIMOX process in the SOI fabrication and did some research work． We pmpesed a new method to calibrate the