激光刻划在薄膜太阳能中的应用.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 一、太阳能电池工艺简介 太阳能电池生产流程图 一、P1工艺简介 P1刻划2D效果图 10X效果图上 40X效果图 一、P1工艺简介 P1刻划3D效果图 一、P1工艺简介 P1采用波长为1064nm的激光来刻划（激光能量9-10W)， 刻划P1的作用是：将TCO分节，作为子电池衬底（按图纸要求将导电膜划分成所需要的子电池单元） P1工艺标准 刻划线宽45±5μm，重合率40%±10%，节节电阻大于20K欧 （具体工艺标准请以相关工艺文件为准） 工艺调试相关参数 激光电流—直接影响激光器光束的能量 激光频率—影响光斑重合率的主要参数 平台速度—MIT的刻线速度是1300mm/s 一、激光工艺简介 一、激光工艺简介 P1未刻断效果图 以上现象是因为玻璃面有杂质导致激光无法穿透所致，故前清洗以及传动线滚轮是否清洁对P1刻划有相当重要的影响 以上是因为玻璃内部杂质所致，只能通过控制原材料来预防。 一、P1工艺简介 影响P1刻不断的因素： 玻璃表面有水、手印或者杂质 玻璃内部缺陷导致光无法穿透 激光电流频率等参数不对 水温过低或高导致激光能量不稳定 光路上有异物遮挡导致激光能量过低 光学镜片不干净或者被刮花导致激光能量过低 腔内晶体凝露导致激光能量过低或者不出光 激光器老化衰减等原因 二、P2、P3工艺简介 P2、P3刻划2D效果图 40X效果图 二、P2、P3工艺简介 P2、P3刻划3D效果图 二、P2、P3工艺简介 P2、P3刻划3D效果图 二、P2、P3工艺简介 P2、P3采用波长为532nm的激光来刻划， 刻划P2的作用是：将非晶硅膜层去掉，露出前级TCO，便于镀PVD时，铝膜能与TCO相连，从而让子电池串联在一起。 刻划P3的作用是：完成子电池的分离。 P2工艺标准 刻划线宽75±5μm，重合率45%±5%，底部非晶硅去除干净，刻线边缘无毛刺，不能伤到导电膜 P3工艺标准 刻划线宽75±5μm，重合率35%±5%，铝膜需去除干净，刻线边缘无毛刺，不能伤到导电膜 （具体工艺标准请以相关工艺文件为准） 工艺调试相关参数 激光电流—直接影响激光器光束的能量 激光频率—影响光斑重合率的主要参数 平台速度—MIT的刻线速度是1300mm/s 二、P2、P3工艺简介 P2、P3刻线异常图片 二、P2、P3工艺简介 P2、P3刻线异常图片 二、P2、P3工艺简介 影响P2、P3刻不干净的因素： 玻璃表面有水、手印或者杂质 玻璃内部缺陷导致光无法穿透 激光电流频率等参数不对 水温过低或高导致激光能量不稳定 光路上有异物遮挡导致激光能量过低 光学镜片不干净或者被刮花导致激光能量过低 腔内晶体凝露导致激光能量过低或者不出光 激光器老化衰减等原因 CVD、PVD镀膜不均匀，镀膜异常时（主要是指放电异常、脱膜、靶材不干净导致异常等原因，也会造成激光刻线效果的异常 CVD镀膜时产生的衍射区域，会导致激光无法刻透。 三、P4工艺简介 P4扫边2D效果图片 三、P4工艺简介 P4扫边2D效果图片 三、P4工艺简介 P2刻划3D效果图 三、P4工艺简介 P4刻划3D效果图 三、P4工艺简介 P4采用波长为1064nm的激光来刻划， 刻划P4的作用是：去掉芯板四周所有膜层，从而起到绝缘防漏电的效果，另外还有个作用 美观的效果。 P4工艺标准 清边区域约10mm，垂直于玻璃边缘的网格必须断开，平等于玻璃边缘网格允许轻微相连， （具体工艺标准请以相关工艺文件为准） 三、P4工艺简介 影响P4扫边不干净的因素： 激光能量、频率等参数不对 振镜位置不正导致激光焦点不对 水温过低或高导致激光能量不稳定 光路上有异物遮挡导致激光能量过低 光学镜片不干净或者被刮花导致激光能量过低 腔内晶体凝露导致激光能量过低或者不出光 光纤损坏或老化导致激光能量过低 激光器老化衰减等原因 四、电池内部结构图 四、电池内部结构图 Cell width Dead area Line width 45um 激光刻蚀效果的好坏、dead area的宽窄都会影响产品的转换效率。 Spot size (um) P1=40 P2=65 P3=80 Total （um） 360 Overlap(%) P1=60 P2=25 P3=25 Isolation(Mohm) ——P1 1 光束类型 飞行光路 未整形 四、电池内部结构图 P1 P2 P3 150μm 150μm P1~P3=335um 20 μm 35 μm 50 μm OERLIKON工艺 四、电池内部结构图 五、刻线异常补救措施 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *