soi材料上紧凑结构波导器件及阵列波导光栅器件的研制微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

浙江大学博士学位论文摘要摘要 浙江大学博士学位论文摘要 摘要 绝缘层上的硅(SOI)材料具有良好的光学和电学特性，成熟的集成电路(IC) 制作工艺和设备可以应用或借鉴于SOI平面波导器件的制作中；硅的克尔(Kerr) 效应、弗朗兹一凯尔迪什(Franz—Kedysh)效应和等离子色散(Plasma Dispersion) 效应等电光效应可以应用于电光调制器和电光开关的制作中。SOI材料的发展为 超大规模集成电路(VLSI)、微光机电系统(MOEMS)和平面光路(PLC)提供了一个 共同的平台，使得光器件、电子器件以及机械固件等的集成成为可能。因此，在 未来的光电子器件的发展中，SOI材料将扮演着重要的角色。 S01材料上大折射率差脊形波导结构的特殊性带来了一些特殊的性质，必须 从理论上深入地探讨；脊形波导大的弯曲半径在某种程度上制约了SOI波导器 件性能的提高，使得多通道、多功能器件的发展受到限制。 针对上述问题，本论文对SOI波导的各种特性进行探讨并给出了详细的计算 结果，首次用三维功率交迭积分法计算了S01波导器件中波导过渡区的损耗，这 种方法考虑了脊形波导模式分布对过渡区耦合效率的影响。 论文首次设计并制作了SOI上集成波导式转弯微镜(IWTM)，利用硅的KOH 各向异性腐蚀特性制作出的微镜表面非常光亮，均方根粗糙仅为5．19nm，并且 由于镜面是腐蚀出的晶面，其与晶片表面非常垂直。实验测得IWTM损耗约为 1．5dB／镜面，损耗主要来源于镜面和波导间的水平移位，通过提高光刻精度和镜 面腐蚀位置的控制精度，可以使性能得到改善。论文将SOI上的IWTM应用于光 功率分配器和阵列波导光栅(AwG)的制作中，实现了结构非常紧凑的波导器件。 论文研制了SOI材料上的多模干涉器。测得4×4MMI的片内额外损耗在1～ 2dB之间，均匀性为0．19～1．48dB，芯片的长度约为2cm。 用MMI结构代替普通的直接分叉型Y分支结构，可优化分支性能，并且实验 结果与理论计算非常吻合。实验测得基于l×2MMI Y分叉结构的紧凑型l×4功 分器，片内额外损耗约为3．1dB，均匀性约为0．4dB。相比普通Y分支结构的功 分器(损耗为4．3dB，均匀性为1．8dB)，器件性能得到明显改善。损耗基本是 由于波导和镜面的平移误差引起。1×2MMI的性能已达到相当好的程度，与理论 值接近。器件结构非常紧凑，在lcmxlcm大小的芯片上制作了5个器件。 AWG是DWDM全光网络系统中的关键器件，目前国外已有产品出售，但国内 的研究水平不高，以理论工作居多，在实验结果上没有取得突破性的成果。 论文从工艺角度出发探讨了AW6的设计方法，详细地计算了二氧化硅材料和 SOI材料AWG器件制作对工艺容差的要求。 论文对SOI AwG的研制进行了探讨，给出了阶段性的结论。论文结合实际工 艺要求设计了基于二氧化硅材料的AwG，并通过代工厂加以实现，制作出可实用 的AwG器件。8×8二氧化硅AW6封装后测得所有通道的插损值在4～8．2dB之间， 所有相邻通道串扰小于一23dB，所有非相邻通道串扰小于一30dB。1×32二氧化硅 AWG封装前测得插损值在4．2～7．3dB之间，相邻通道串扰小于一28dB，非相邻通 道串扰小于一30dB。 苎譬堂考、导师同旁 羽金文公布 浙江大学博士学位论文摘要Abstract 浙江大学博士学位论文摘要 Abstract Si 1icon—on—Insulator(S01)，boasting good optical and electronic properties，is the common material of Integrated Circuits(ICs)，Micro— Optical—E1ectronic-Mechanical-Systems(MOEMS)and Planar—Lightwave —Circuits(PLCs)，which makes the monolithic integrations of optica]， electronic and mechanical components possible．The mature technologies and superior equipments out of ICs can be borrowed to investigate SOI PLCs． Some electro—optical effects of Kerr effect，Franz-Kedysh effect and Plasma Dispersion effect in silicon can be used in optical modulator and electronic-optic