芬顿法脱除锰电解液中残余有机物的研究化学工程专业论文.docxVIP

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芬顿法脱除锰电解液中残余有机物的研究化学工程专业论文

H202/Fe2+摩尔比5,在30℃温度下反应60 H202/Fe2+摩尔比5,在30℃温度下反应60 min,溶液COD脱除率达到 75.35%。 通过基于Box.Behnken设计的响应面法,以COD脱除率为响应值,对 初始pH值、Fe2+离子投加量和Hz02/Fe2+摩尔比的工艺参数进行研究并优化。 结果表明:Fe2+离子投加量对COD脱除率的影响最显著,H202/Fe2+摩尔比 次之,初始pH值最小;在Fe2+的投加量为29.47retool·L’‘,H202/Fe2+摩尔 比为5.00,初始pH值为3.1l的条件下,COD脱除率可达74.50%,与响应 面模型预测值误差小于2%。证明利用芬顿反应脱除硫酸锰溶液中残余有机 物的方法是可行的。 对锰电解液进行紫外扫描分析表明,溶液中的有机物主要是小分子物 质。芬顿反应过程十分迅速,且随着反应时间的延长,溶液中仍然有一部 分小分子有机物不被氧化分解;对Fenton反应过程中pH值检测结果表明, 温度升高会导致锰电解液的pH值下降,而初始pH值越低导致芬顿反应脱 除效果降低。锰电解液体系pH值明显低于硫酸锰溶液体系,说明在芬顿反 应降解有机物的过程中,产生了一定量的酸性物质。对不同浓度的Mn2+、 S04。、F‘、C1’离子对芬顿反应影响的研究结果表明,Mn2+和Cl‘离子可抑制 芬顿反应的进行,导致COD脱除率下降;S042‘对芬顿反应无影响;F。离子 由于能与Mn2+反应,阻碍了Mn2+对芬顿反应的抑制作用,但过量的F。离子 会导致COD脱除率下降。 关键词:锰电解液有机物芬顿反应COD脱除率机理 万方数据 Study Study on the Residual Organics Removal from Manganese Electrochemical Solution by Fenton process ABSTRACT Manganese lS an important metal that widely used in metallurgy and chemical industry.With the rapidly growth of demand,the reserve and grade of manganese carbonate ore was fallen sharply,SO it iS important to develop and utilize manganese oxide ore.In recent years,some works have demonstrated the potential use of carbohydrates,agriculture and forestry byproduct as reducing agent to leaching manganese oxide ore in diluted acid medium.And the reductants have the advantages of high efficiency,environmental protection and 10W price.However,it would produce a lot of organic derivatives such as small molecular organic acid and aldehydes during the leaching of manganese ores. The organic derivatives may cause a certain influence to the electrolysis efficiency and corrosion the anode plate.Hence,it is necessary to remove the residual organic from manganese electrochemi cal solution. The oxidation removal process for the residue organics using Fenton reagent as the oxidizing agent was statistically analyzed in manganese electrochemical solution.Chemical oxygen demand(COD)removal has been chosed as the target parameter to evaluate the removal rate.The main contents were as follows: Si

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