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导电聚合物无机纳米晶复合材料及器件的制备与表征物理学;凝聚态物理专业论文
南开大学学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师指导下进行研究工作所
南开大学学位论文原创性声明
本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师指导下进行研究工作所 取得的研究成果。除文中已经注明引用的内容外,本学位论文的研究成果不包 含任何他人创作的、己公开发表或者没有公开发表的作品的内容。对本论文所 涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本 学位论文原创性声明的法律责任由本人承担。
学位论文作者签名: 筮壅蝗 201 0年5月27 日
非公开学位论文标注说明
根据南开大!学有关规定,非公开学位论文须经指导教师同意、作者本人中 请和相关部门批准方能标注。未经批准的均为公开学位论文,公开学位论文本 说明为空白。
论文题目
口限制(≤2年) 口秘密(≤10年) 口机密(≤20 申请密级
年1
保密期限 20 年 月 日至20 年 月 日 审批表编 批准日 20 年 月
号 期 日
限NA-2年(最长2年,可少于2年) 秘密★lO年(最长5年,可少于5年) 机密★20年(最长10年,可少于10年)
中文摘要中文摘要
中文摘要
中文摘要
红外材料与器什在光纤通讯、热成像、生物成像以及太阳电池等领域有重 要而广泛的应用。关于导电聚合物/无机量子点红外复合材料与器件的研究在国 内外还刚刚起步,而且器件的性能都比较低。研究复合材料中的能量转移以及 器件中载流子的输运等问题,可以为如何提高材料的发光效率以及光伏性能提 供物理依据。
在本工作q-w,我们制备了MEH—PPV/PbS、InP量子点近红外复合材料,并 首次成功制备了A1/MEH—PPV(InP)/ITO可见一近红外光探N-极管。利用准原 位透射光谱、准原位荧光光谱等手段,成功观测到从MEH—PPV到PbS量子点的 Dexter能量转移率随量子点粒径的变化,并且证明了光学禁ll:跃迁对Dexter 能量转移过程的影响。利川自行设计并构建的渡越时间测量系统,研究了 A1/MEH—PI,V(InP)/ITO二极管中的载流子迁移率。
本工作的主要内容如下: 1)我们发展了在导电聚合物MEH—PPV中直接低温合成PbS量子点的新工
艺,并且可以通过控制反应时间等方法来调节量子点的粒径大小和分布。70。C 下,在MEH—PPV甲苯溶液中,直接复合了直径在2.5nm~3nm的PbS小量子点。 通过对一系列具有不同粒径PbS量子点复合材料的准原位吸收谱和光致发光谱 (PL)分析,我们发现,随量子点粒径的增大,MEH-PPV的PL强度经历了一个逐 渐减小再逐渐增大然后又逐渐减小的过程。PbS量子点直径为2.65nm时,PL强 度出现极大值。结合对PbS量子点能级结构的理论计算,我们发现,当量子点 粒径为2.65 nm时,量子点激子基态和第一光学禁止跃迁与MEH-PPV的发射谱
之间的交叠最小,引起了最小的能量转移率。这一发现有助于理解聚合物一量子
点复合材料器件的工作特性。
:2)为了研究PbS纳米晶的生长规律,我们设计了用于监测PbS纳米晶生 长的原位透射光谱系统。 在水相合成中,如加入SDS,会生成PbS纳米线,否 则只形成PbS纳米点。我们发现,在其他反应条件相同的情况下,随着反应的 进行,PbS纳米点的吸收峰波长比PbS纳米线的红移快得多。由于纳米线的吸 收峰波长是由纳米线的横向尺寸限制决定的,该现象的发现直接证明了:在PbS
中文摘要纳米线生长过程中,在纳米线的纵向上的生长速率比横向的快。
中文摘要
纳米线生长过程中,在纳米线的纵向上的生长速率比横向的快。 3)虽然CdS,PbS,PbSe等纳米晶的合成技术比较成熟,但这些材料中含有
有毒元素,有必要开发出环境友好型材料。为此,我们选择了InP。 采用有机 相高温合成技术,我们成功制备了InP量子点,并且用ZnS对InP量子点进行 包裹,以提高量子点的发光效率。 将InP量子点与MEH—PPV复合后,加工出结 构为ITO/MEH-PPV(InP)/AI光探测二极管。器件的IV特性显示,M]EH-PPV(InP) 复合材料的电导率比MEH-PPV的有显著提高。
4)我们自行设计并构建了变温和变电压渡越时间(TOF)测量系统。 利用 该系统,对A1/MEH—PPV(InP)量子点/ITO光二极管TOF进行了分析。结果表 明,聚合物和复合材料的迁移率都满足高斯无序模型。与纯MEH—PPV情形相比, 复合材料的位置无序度没有明显变化,但是其能量无序度明显展宽。
关键词:导电聚合物无机纳米晶能量转移迁移率渡越时间测量
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