掺氮氧化锌的光电特性及其在薄膜晶体管中的应用研究理论物理专业论文.docxVIP

浙江大学博士学位论文 浙江大学博士学位论文 致谢 致谢 光阴似箭、岁月如梭，五年的博士求学时光转瞬即逝。回首自己的求学之路， 虽有磕磕绊绊，但一路还算顺利。在遇到困难的时候，总能得到良师益友的热心 帮助和鼓励，让我一直心存感激。在此以最朴实的语言表达我真挚的谢意。 首先要感谢我的导师吴惠桢教授，是他领我步入了“半导体材料与器件”这 个奇妙而有趣的研究领域。在直博阶段的前两年，我做的是“理论生物物理”方 面的工作，偏向于数理统计和计算机编程。在我表达了想转到“半导体材料与器 件”方向的意愿后，吴老师放下手中的工作，耐心地给我介绍实验室的情况，当 时的情景犹历历在目．吴老师治学严谨、学识渊博、工作勤奋、对科研热情执着， 是我一生学习的榜样。三年来，他悉心的指导和严格的要求使毫无实验基础的我 逐步掌握了实验物理人的思维方式。吴老师还一直在努力改善实验室的条件，使 我们的科研工作能够顺利地开展。还有十分感激吴老师在生活上给予的慈父般的 关心和爱护。 衷心感谢上海交通大学物理系沈文忠教授和孔晋芳师姐在Raman光谱测试 方面给予的帮助，也要感谢浙江大学材料系叶志镇教授及其课题组的研究生在 Hall效应测量、物理系邱东江副教授在材料生长方面提供的帮助。缺少这些有力 的帮助，我的实验是无法顺利进行的。 还要感谢在我转换研究方向时给予我热心帮助、关心和鼓励的物理系唐孝威 院士，张宏、曹志彤、应和平和郑波教授，陈星和方本民老师。 感谢实验室的王双江、原子健和才玺坤同学，他们帮我分担了很大一部分材 料生长方面的工作，使我能腾出足够的时间分析和整理实验结果；也很感谢徐天 宁和斯剑霄师兄，蔡春锋同学，与他们在学术上的讨论让我受益匪浅；还有万正 芬、张莹莹、王雄、胡炼、金树强、魏晓东和张兵坡同学在实验和生活上给予的 帮助和关心． 最后，我要真诚地感谢我的父母，他们对我无条件的爱和默默的支持给了我 不懈努力的动力。 浙江大学博士学位论文 浙江大学博士学位论文 摘要 摘要 本论文的研究工作围绕实现氧化锌基薄膜晶体管器件这个目标展开。自然生 长的氧化锌薄膜通常存在缺陷，具有较高的电子浓度，我们尝试用掺氮的方式来 降低载流子浓度。实验采用射频磁控溅射沉积技术，以氨气为掺氮源，优化在非 晶玻璃衬底上沉积掺氮氧化锌薄膜的工艺条件和参数。低温下在非晶玻璃上生长 出(0 0 1)择优取向的纤锌矿结构掺氮氧化锌薄膜。 用光致发光光谱技术研究了室温下掺氮氧化锌薄膜的载流子辐射复合过程。 从光致发光光谱中发现，掺氮后氧化锌的发光强度显著下降，这是由于氮掺杂改 变了氧化锌的辐射复合发光机制一一从本征氧化锌的自由激子复合跃迁转变为 掺氮氧化锌的施主．受主对复合跃迁． 用共振拉曼散射光谱技术深入研究了掺氮氧化锌薄膜的多声子散射过程。室 温下观测到氧化锌的高达6级纵光学(LO)声子的共振拉曼散射，发现氮掺杂 极大地增强了氧化锌LO声子的散射行为。表现在共振拉曼散射光谱中，掺氮后 氧化锌1LO声子的强度增大至未掺杂时的3倍，这主要是由氮掺杂产生的“缺 陷引起的拉曼散射”作用的结果。由于氧化锌薄膜中含有缺陷，出现在578 cm以 的1LO声子可以解释为混合了Al和蜀对称性的准声子模。另外，在掺氮氧化锌 薄膜的共振拉曼散射光谱中还清楚地观察到一直以来被忽略的“杂质引起的二级 LO声子的拉曼散射”过程． 为研制以氮掺杂氧化锌为有源层的薄膜晶体管器件，研究了以氨气为掺氮源 的低温掺氮工艺对氧化锌薄膜电学性质的影响。有趣的是，随着生长过程中通入 氨气流量的增加，掺氮氧化锌薄膜的电阻率呈现类似于斜体字母“lv，’的变化趋 势：当氨气流量较小时(≤1．0 SCCM)，电阻率比未掺杂时增大了两个数量级； 当氨气流量从1．0 SCCM增加至3．0 SCCM时，电阻率却逐渐减小并降至最小值； 进一步增加氨气流量时(≥3．0 SCCM)，电阻率又逐渐增大．电阻率出现先增 大后减小的变化，可能是因为氮掺杂过程中氮和氢离子都进入氧化锌晶格，分别 形成浅受主和浅施主并互相补偿的结果。而过多杂质的掺入会导致氧化锌薄膜晶 体质量下降，这可能是氨气流量更大时电阻率再一次增大的原因。因此，为实现 浙江大学博士学位论文 浙江大学博士学位论文 摘要 既降低电子浓度又保持较好晶体质量的目的，在沉积掺氮氧化锌薄膜时采取了较 低的氨气流量。以电学性能优化的掺氮氧化锌薄膜为有源层制备出耗尽模式薄膜 晶体管器件。 关键词：氧化锌；掺氮；光致发光；共振拉曼散射；薄膜晶体管 浙江大学博士学位论文 浙江大学博士学位论文 Abstract Abstract As—grown ZnO thin film typically shows n-type conductivity,with relatively high elect