vo2薄膜制备及其应用性能基础研究钢铁冶金专业论文.docxVIP

中文摘要摘 中文摘要 摘 要 攀钢(集团)公司是我国最重要的钢铁钒钛基地，攀西地区蕴藏有丰富的钒钛磁 铁矿资源，其中钒资源占全国的63％以上。三十多年来，攀钢(集团)公司利用钒钛 磁铁矿资源生产了大量的钢材，以及大量的钒渣、VzOs、v203、钒铁等钒产品，使 我国成为世界上主要的产钒国之一。但是，钒资源的综合利用程度还不够高，钒产 品的种类还较少、产品档次和科技含量还比较低。因此研究开发新的、高科技含量 的钒产品，从而进一步提高钒资源综合利用水平，是非常必要和迫切的。 对功能材料V02薄膜的研究倍受人们的关注。因为它的一个重要特性就是在较 低温度(68℃)下发生金属一半导体相变(简称M．s相变)，同时伴随光学性质和电学 性质的突变。已有的研究中均以纯含钒原料来制备V02薄膜，迄今为止，尚未见以工 业v205为原料制备V02薄膜的研究报道。在攀钢工业v205大量存在且价格较低的 条件下，研究以它为原料来制备V02薄膜，具有重大的现实意义。 本研究得出了如下的研究结果(结论)： (1)在实验室中打通了以片状工业v205晶体为原料、用改进无机溶胶一凝胶法制 备v205溶胶一凝胶的工艺流程。制备V205溶胶的适宜工艺参数为：熔化v205的温 度(800～900)℃、恒温时间(5～20)min；通过控制工艺参数来控制v205溶胶向凝 胶的转变。该工艺参数为：溶胶中V205浓度须大于20 g，L，同时熔化v20s的温度 (800～900)℃，恒温时间(5～15)rain。 (2)选择旋涂法和浸涂法作为日常的涂膜方法，可完全满足涂膜试验的要求。采 用旋涂法时，胶体粘度越大、转盘转数越小、衬底越靠近旋转中心，则薄膜厚度越 大；采用浸涂法时，胶体粘度越大、密度越小，则薄膜厚度越大，反之则越小。适 宜的凝胶粘度为(1．0～3．0)Pa·S。 (3)改制和自制的涂膜装置以及研制的薄膜电阻一温度测量装置，均能满足常规 实验要求，预期的效果较好。自制的浸涂法涂膜装置提拉速度为(1．5～3．0)mm／S； 温度一电阻测量装置的主要性能指标为：使用温度范围为室温～t50℃。温度控制精 度为±l℃，升温速度(1～2)℃／min，降温速度约2℃／min，当启用冷却系统时，降 温速度为(3～5)℃／min。 (4)用H2还原法和N2热分解法由V205薄膜制取V02薄膜，无论在理论上还是 在工艺上都是可行的。在实验室中打通了N2热分解法和H2还原法制各V02薄膜的 工艺流程，在普通玻璃衬底和石英玻璃衬底上制备出了具有显著M．s相变特征的 v02薄膜，并得出了适宜的工艺参数。N2热分解法的适宜工艺参数为：热分解温度 450℃，恒温时间(13～20)h，薄膜厚度10．4p 1-11，N2流量1 IJmim Hz还原法的适 重庆大学博士学位论文宜工艺参数为：薄膜厚度10．41．tm，还原温度400。C，恒温时间(3～5)h，H2流量也 重庆大学博士学位论文 宜工艺参数为：薄膜厚度10．41．tm，还原温度400。C，恒温时间(3～5)h，H2流量也 为1 IJmin。在同等条件下，采用H2还原法、以石英玻璃作衬底是较好的V02薄膜 制各条件。 (5)由N2热分解法制备V02薄膜的电阻突变数量级在普通玻璃衬底上最大可达 2。2，在石英玻璃衬底上最大可达2。6：由H2还原法制得的V02薄膜的电阻突变数量 级在普通玻璃衬底上最大可达2．6，在石英玻璃衬底上最大可达3．2；v02薄膜的电 阻突变温度约为35℃，接近室温，比纯V02晶体的理论相变温度(68℃)降低了约 33℃。采用上述两种方法制备V02薄膜的电阻突变数量级总体上达到了国内外用纯 含钒原料、在非晶体衬底上VOz薄膜的电阻突变数量级水平。 (6)V02薄膜的电阻突变温度滞后(47∞为(1～4)℃。制备方法、衬底材质和s 值的大小对ATtgs有较大影响。由H2还原法制得V02薄膜的47赫比N2热分解法的 小；石英玻璃衬底上的ATMs比普通玻璃衬底上豹小；S值较大时ATMs较小，反之则 较大；在自然放置条件下、短时间内V02薄膜可经受反复多次的M．s相交，其s 值及ATMs几乎没有变化，但随放置时间的延长以及受周围环境气氛的影响而逐渐降 低。 (7)杂质可使V02薄膜的电阻突变温度降低，同时又可使电阻突变数量级减小。 单一的离子半径较大的杂质或多元的使晶体中键长总体上伸长的杂质，都可使V02 薄膜的电阻突变温度降低；掺入M003时V02薄膜电阻率突变数量级随掺入量的增 大而减小，可用推导出的理论公式来预测M003掺入量对V02薄膜电阻突变数量级 的影响；由于杂质总含量较多，以工业V205为原料制备V02薄膜的电阻突变温度、 电阻突变数量级分别低于、小于以分析纯V205为原料制备V02薄膜的电阻突变温 度和电阻突变数量