氮化钽金属薄膜干法刻蚀的研究集成电路工程专业论文.docxVIP

A b A b s tr a e t T a N th in f ilm h a s b e e n w id e ly a P P l ie d i n m ie r o e le e tr o n ie P r o e e s s . I t 15 u s e d a s b a r r ie r la y e r i n C u in te r c o n n e c t a p p lie a tio n in sta n d a r d C M O S B E O L p ro c esses·O w ing to its g o o d co m p a tib ility w ith h ig h 一k m a teria ls，Ta N 15 b ein g s tu d ie d a s a su b stitu te f o r m e ta l g a te m a te r ia l in s u b 4 5 n m C M O S P r o e e s s e s· F u r th e r m o r e ，it c a n b e u s e d a s a b s o r b e r m a te r ia l i n E U V l ith o g r a p h 醉 A n d i n r e c e n t a P P lie a t io n ，it h a s b e e n d e m o n str a te d th a t T a N th in f ilm e a n b e u s e d a s e o n d u c to r m a te r ia l f o r M E M S m ie r o b r id g e str u e tu r e . B u t r e P o r t s o n T a N e te h in g in M E M S a P P l ie a t io n e a n se ld o m b e f o u n d to d a y . I n th is th e sis，w e w il l d is e u s s a b o u t T a N d r y e tc h in g P r o e e s s d e v e lo P m e n t a P P lie d i n u n c o o le d in f ra r e d b o lo m e te r a r r a y s P r o d u e t. A m o r P h o u s s il ie o n 15 e h o s e n a s th e th e r m a l se n siti v e m a te r ia l. B e e a u s e o f its h ig h th e r m a l一e o e f fi e ie n t o f r e s is t a n e e ，t h e 代 sis ta n e e w ill v a r y v isib ly w h U e e x P o s in g to t h e in f r a r e d r a y a n d th e v a r ia n c e r a tio o f e a c h e e ll w ill b e tr a n sf e r r e d in to im a g e s ig n a l b y th e r e a d 一o u t I C s o n th e su b str a te . T h e e le c tr o d e m a te r ia l w h ie h tr a n sf e r s th e sig n a ls fo r su eh P ro d u e ts m u st h a v e g o o d th erm al relia b ility a n d lo w th e rm a l一eo effi e ien t o f r e s ista n e e . T a N P r o v id e s