zno基透明导电膜的制备及特性研究材料学专业论文.docxVIP

中文摘要通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、 中文摘要 通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、 液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。本课题研究的主要目的是探 索S01．Gel法制备ZnO透明导电薄膜中Al”、F．的掺杂方式和掺杂比、低温合成、 低维多晶聚集结构对薄膜导电率和透光率的影响。 本文采用溶胶．凝胶方法在载玻片上成功地制备出Ar、F‘掺杂型ZnO薄膜。 所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅 拌制得；用浸渍提拉法在基片上涂膜，经烘干、预处理、热处理形成均匀透明的 ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、分光光度计和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特 性进行了研究，结果表明掺杂量、热处理温度、涂膜层数、溶胶浓度和热处理气 氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。适当增加掺杂量和提高热处理温度 都能降低薄膜的电阻率，过多的掺杂和过高的热处理温度反而会增加电阻率，掺 杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大，提高热处理温度可以 提高薄膜的可见光透过率。增加溶胶的浓度和涂膜层数均能增加薄膜的厚度，并 导致薄膜电阻率的降低，同时也降低了薄膜的透射率。热处理气氛的不同直接影 响了薄膜的导电性，空气气氛下晶粒取向生长，但电阻率很高，在氩气中550C 可得到电阻率很低的薄膜，氢气中300C以上处理的薄膜具有低电阻率。AZO、 FZO薄膜表面呈致密结构，晶粒大小均匀 本文对溶胶．凝胶方法制备AZO、FZO薄膜的工艺参数进行了优化研究，确 定了溶胶．凝胶方法制备AZO、FZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0．6mol／L、 掺杂量lat％、镀膜层数15层、预处理温度450C、空气气氛热处理温度为550C、 氩气热处理温度为550C、氢气热处理温度400C。采用溶胶-凝胶工艺制备的ZnO 薄膜在可见光范围内的最高透射率在90％左右，最低方阻为约IOD．／口，接近ITO 导电玻璃。 关键词： AZO薄膜FZO薄膜溶胶．凝胶结构与形貌半导体性质光电性能 ABSTRACTZnO ABSTRACT ZnO transparent conductive oxide thin films doped with suitable dopants have more excellent optical and electrical properties，and are applied widely to various electrical and optical devices including liquid crystal display，solar cell and SO on，as transparent and conductive oxide electrodes．In this paper，influence of dopant style and dopant concentration，low temperature synthesis，low-dimension polycrystical structure on electirical and optical properties of ZnO films were investigated． ZnO thin films doped with A 1”，F。were deposited on substrates by sol—gel method from 2-methoxyethanol solutions prepared by Zincacetate as precursor,MEA as stabilizer．Homogenous transparent ZnO thin films were formed finally by dipping， drying，pre-heat treatment in air and annealing in different atmospheres．XRD， FESEM，XPS，UV-VIS-NIR and Four-Point probe method were used to charicterize chemical components，microstructure，optical and electrical properties of ZnO based thin films． The result showed that dopant concentration，annealing temperature，the number of coatings，sol concentration and atmo