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物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
May Acta Phys. -Chim. Sin. 2015, (Suppl.), 0001-0009 0001
[Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB2014Ac 15
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通过 He (d, p) He 核反应研究He 在Ti SiC 中的扩散行为
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1,4 2 3 1,*
戚 强 HUANG Mengbing 张海斌 施立群
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( 复旦大学现代物理研究所, 应用离子束教育部重点实验室, 上海200433; 纽约州立大学奥尔巴尼分校, 纳米科学
与工程学院离子束实验室, 奥尔巴尼12203, 纽约, 美国; 3 中国工程物理研究院核物理与化学研究所, 四川绵阳610003;
4 中国科学院等离子体物理研究所, 合肥230031)
摘要: 对于未来聚变和裂变能源装置, 第一壁/包层的结构材料处于严酷的使用环境. 其中嬗变产物氢氦对结
构材料的作用是所关心的重要问题之一. Ti SiC 是一种新型的高性能综合性陶瓷材料——金属陶瓷材料, 具
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有十分优异的耐高温抗辐照特性. 本文通过 He (d, p) He 核反应方法获得了400 至1100 C He 在Ti SiC 中的
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扩散系数以及氦在材料中的深度分布, 并对氦的扩散行为进行了讨论. 发现氦在材料中的演化和内应力的共同
作用导致了氦分布的变化.
关键词: Ti SiC MAX 相; 氦扩散行为; 3 He (d, p) 4 He 核反应; 氦泡; 辐照损伤
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中图分类号: O641; O571.33
Investigation of Helium Diffusion Behavior in Ti SiC
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