磁控溅射法制备ZnO-中南民族大学学报自然科学版.PDFVIP

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2019-02-09 发布于天津
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磁控溅射法制备ZnO-中南民族大学学报自然科学版.PDF

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磁控溅射法制备ZnO-中南民族大学学报自然科学版

34 1 ( ) Vol． 34 No． 1 第卷第期中南民族大学学报自然科学版 2015 3 Journal of South-Central University for Nationalities (Nat． Sci． Edition) Mar． 2015 年月磁控溅射法制备ZnO :Ga 薄膜的结晶质量及其应力研究 1 ，2 1 1 1 志有，，，钟兰椿龙路陆轴 (1 中南民族大学， 430074 ;2 ， 430074) 电子信息工程学院武汉中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室武汉 (ZnO) (Ga O ) ，摘要以氧化锌掺杂氧化镓 2 3 的陶瓷靶作为溅射靶材采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备 (ZnO :Ga) ． X 了透明导电的掺镓氧化锌薄膜通过射线衍射仪测试研究了衬底温度对薄膜结晶性能及其残余应力． : ZnO :Ga (002 ) ，的影响研究结果表明所有薄膜均为六角纤锌矿型的多晶结构并具有方向的择优取向特性其结．， (002) 晶性能和残余应力与衬底温度密切相关随着衬底温度的升高薄膜的择优取向程度和晶粒尺寸呈现出先增，． 400℃ ，ZnO :Ga 大后减小的变化趋势而薄膜的残余压应力则单调减小当衬底温度为时薄膜具有最大的晶粒尺寸 (75． 1 nm)、 TC (2． 995)、 (-0． 185 GPa) ．最大的织构系数 (002) 较小的压应力和最好的结晶性能 ; ; ; 关键词磁控溅射氧化锌薄膜掺杂结晶质量中图分类号 TM914 文献标识码 A 文章编号 1672-4321 (2015)01-0066-07 The Crystal Quality and Ｒesidual Stress of ZnO :Ga Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering Method Zhong