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导电陶瓷的研究进展 摘要 本文介绍了导电陶瓷的应用领域，综述了导电陶瓷的制备方 法，还介绍了电火花加工导电陶瓷的研究现状，最后还对导电陶瓷的发展 方向进行了展望。 关键词导电陶瓷，应用，制备，加工方法 V 、八.亠. 1刖S 导电陶瓷材料是指陶瓷材料中具备离子导电、电子/空穴导电的一种 新型功能材料。导电陶瓷材料是从20世纪初期发展起来的，尤其是近十 年来，关于新型导电陶瓷开发、传统导电陶瓷的改性、陶瓷材料与器件的 一体化研究与应用等方面的研究十分活跃［1］。 导电陶瓷具有抗氧化、抗腐蚀、抗辐射、耐高温和长寿命等特点，可 用于固体燃料电池电极、气敏元件、高温加热体、固定电阻器、氧化还原 材料、铁电材料和高临界温度超导材料等方面［2］。木文对导电陶瓷的制 备方法和加工方法进行了综述。 2导电陶瓷的制备方法 目前导电陶瓷的制备方法，主要有湿化学方法、无压烧结法、化学气 相扩渗法和微波烧结法等。 2. 1湿化学方法 湿化学法主要有溶胶-凝胶法和共沉淀法。溶胶-凝胶法常以金属无机 盐、金属有机盐或金属醇盐为原料，加入酒石酸、柠檬酸或醋酸为络合剂 制备前驱体，加热蒸发得到溶胶，继续蒸发形成凝胶，干燥后熾烧即可得 到粉体，将粉体压制成形、焙烧，使其致密，最后得到导电陶瓷。共沉淀 法常以金属无机盐为原料，制备成水溶液，再加入沉淀剂（如氨水、草酸） 以得到沉淀产物，干燥后熾烧、压制成形、焙烧，最后得到导电陶瓷。 吴敏艳等人［3］采用溶胶-凝胶法制备了粒径为30~60nm的超细粉， 采用速控烧结制度在较短的烧结时间里获得相对密度为98%、平均晶粒度 小于1 Pm的致密陶瓷。王歆等人［4］用溶胶-凝胶法，在A1203衬底上制 备了导电性能优良的BaPbO3（BPO）导电薄膜。研究发现，升高热处理温度 和增加热处理次数使薄膜屮Pb/Ba摩尔比降低和膜厚减小，从而使薄膜电 阻升高，薄膜导电性能下降，尤其是在膜层较薄的情况下，这种影响更加 显著。采用670°C保温lOmin的单次热处理方法，获得了方阻为4. 65 Q /cm 的单一钙钛矿结构BPO相导电陶瓷膜。 刘心宇等人［5］利用液相共沉淀法制备了 BaPbO3导电陶瓷粉末。研究 发现，采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的合成温度，其合成温 度约为650°C左右；液相法制备的BaPbO3粉末纯度高、粒度细；液相共沉 淀法制得的BaPbO3导电陶瓷的室温电阻率约为3.4X10-4Q#8226;cm, 并在750°C前具有优良的正温度系数（PTC）阻温特性。刘心宇等人［6］还 采用化学液相共沉淀法制备了掺杂La的BaPbO3导电陶瓷粉末，将粉末压 制成形，在950°C下烧结后发现，La在BaPbO3中的固溶度为10%；随着 La的增加，BaPb03的室温电阻率呈W形变化（如图1所示）。在La含量 较低时，导电机制可能是电子导电形式，而当La含量较高时，其导电性 可能主要是由费米能级的Pb之6s和（）之2p轨道的重叠而引起的。 2.2固相烧结法 固相烧结法是一种制备陶瓷材料的传统方法，将陶瓷原料粉末混合均 匀后压制成形，在高温下无压（或有压）烧结，随炉冷却后便得到所需的 陶瓷材料。 土春华等人［7］采用常压法获得致密的碳化硅烧结体，体积密度为 3. 12g/cm3,电阻率为0?165Q#8226;m；该陶瓷在300?600°C温度范围 内表现出明显的负电阻率温度系数。 为提高导电陶瓷的导电能力，常对陶瓷进行掺杂。刘汉忠研究了 Ce 掺杂LaO. 5-xCexBaO. 5Co03陶瓷时，发现该陶瓷材料是一种电子、空穴和 氧离子混合导电的陶瓷材料；LaO. 5-xCexBaO. 5Co03的x在0. 1?0. 5变化 时，电阻率P随Ce的掺杂量增加而单调上升。图2给出了烧结温度为 1080°C和］100°C时,样品的室温电阻率P （niQ/cm）与Ce的加入量x的 关系。何汉兵等人⑻利用冷压-烧结技术制备了 CuO掺杂的10Ni0-NiFe204 复合陶瓷，在1473K下烧结的CuO掺杂10Ni0-NiFe204复合陶瓷的电导率 与CuO含量有关（如图3所示），当未掺杂CuO时，在303K到773K温度 范围内电导率随温度的升高而逐渐增加，随后在773-923K出现1?2个 数量级的突降，然后重新随温度的升高而缓慢上升，当掺杂CuO后，电导 率在298-1233K内随着温度的升高而增加。4%CuO掺杂10NiO-NiFe204复 合陶瓷在不同测试温度下均具备最高电导率，在1233K下达到5. 169S/cm, 是未掺杂样品的5倍。 将绝缘的陶瓷基体与导电相复合，通过固相烧结也可得到导电陶瓷。 在导电复合材料中，只有导电相体积分数大于临界值时，即导电相的掺量 大于导电阀值时，导电相颗粒在绝缘基体中便形