基于光栅结构和金属表面等离子体效应的 太阳能电池结构的优化设计-光学专业论文.docxVIP

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基于光栅结构和金属表面等离子体效应的 太阳能电池结构的优化设计-光学专业论文

万方数据 万方数据 学位论文原创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研 究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人 或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集 体,均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。 学位论文作者:  日期: 年 月 日 学位论文使用授权声明 本人在导师指导下完成的论文及相关的职务作品,知识产权归属郑州大学。 根据郑州大学有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留或向国家有关部 门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅;本人授权郑州 大学可以将本学位论文的全部或部分编入有关数据库进行检索,可以采用影印、 缩印或者其他复制手段保存论文和汇编本学位论文。本人离校后发表、使用学 位论文或与该学位论文直接相关的学术论文或成果时,第一署名单位仍然为郑 州大学。保密论文在解密后应遵守此规定。 学位论文作者:  日期: 年 月 日 摘要 摘要 摘要 太阳能电池通过利用光电效应使光能转换成电能,是目前缓解能源紧缺问 题、产生绿色新能源的主要方法。然而,太阳能电池的光电转换率过低和生产 成本过高成为限制太阳能电池广泛使用的最大瓶颈。现阶段对于太阳能电池的 研究归结为以下两方面:一是通过研究和开发新型太阳能电池材料以提高光电 转换率;二是在现有材料的基础上,通过设计太阳能电池窗口层、吸收层和背 反层结构,来提高太阳能电池的光电转换率及性价比。 本文主要对太阳能电池吸收层的结构进行设计与优化,研究内容分为两大 部分: (1)在碲化镉吸收层设计多种光栅结构,通过计算太阳能电池的吸收率,对 光栅填充比和刻槽深度进行优化,设计出新型的单、双填充比矩形光栅结构, 并运用有限元法对其在 250nm~1000nm 太阳光波长范围内的吸收率进行了研究。 结果表明:相比于平板型结构,单填充比和双填充比矩形光栅结构的光吸收率 均有较大的提高。双填充比矩形光栅在整个可见光范围内的吸收率整体得到提 高,其对可见光的平均吸收率相比于平板型至少提高 10%。可见通过设计太阳能 电池吸收层的结构,入射光在光栅内的随机反射增大了光在太阳能电池中的作 用时间和传播距离,大大提高了太阳能电池的光电转换率。 (2)在砷化镓光栅结构中加入金属纳米颗粒,利用金属粒子与介质接触面形 成的表面等离子体效应,将太阳光高度局域在砷化镓光电转换层内,以提高太 阳能电池的吸收效率。通过对不同形状(矩形、三角形和球形)和尺寸的金(Au) 纳米 颗 粒 填 充 时 太 阳 能 电 池 吸 收 率 的 研 究 和 分 析 , 发 现 在 入 射 波 长 为 250nm~450nm 波段,三种结构的吸收率基本相同;在 450nm~750nm 波长范围内, 球形结构对应的吸收率最大,矩形结构对应的吸收率最低,三角形结构的吸收 率处于矩形和球形结构之间;在 750nm~1000nm 波长范围内,三种结构对应的 吸收率情况变化不一,其中矩形结构的平均吸收率大于三角形和球形结构。对 于三种不同形状的金纳米颗粒,在太阳光光谱的可见光波段,总体来看球形金 纳米颗粒对应的平均吸收率要高于矩形和三角形的金纳米颗粒结构。 关键词:太阳能电池;光栅;金属纳米颗粒;表面等离子体;吸收效率 I Abst Abstract Abstract As solar cells can convert sunlight into electrical energy by photovoltaic effect, it has been a great way to solve the energy problem and generate new green energy. However, low light conversion efficiency and high production costs are the biggest problems restricting the development of solar cells. Current research on solar cells mainly in the following two points: One is in study of new materials of solar cells to improve the photoelectric conversion efficiency. The other is by optimizing the design of solar cells window layer, the absorption layer and the anti-back layer to imp

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