负电子亲合势GaAs光电阴极稳定性的研究-光子学报.PDF

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2019-02-22 发布于天津
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27 2 V o 1. 27 N o. 2 199 8 2 A CT A PHOT ONICA SINICA F ebruary 199 8 GaAs 米侃张景文赛小峰何益民高鸿楷侯洵 ( , 7 10068) 本文采用在超高真空系统中引入少量A r 气在激活到最高灵敏度时维持一定Cs 蒸气压的方法, 改进了激活系统的环境气氛, 使阴极在台内的寿命得到极大地延长, 为封管提供了足够的时间文中还探讨了影响阴极稳定性的重要因素, 并指出了在现有的条件下进一步提高阴极稳定性的途径 G aAs 光电阴极稳定性 0 , G aAs 1 GaAs ( ) , N EA GaA s , , , , , 1 Balzers Q MS 112 , Auger 1 GaAs 2 Ar F ig. 1 Sensitivity decay of the G aAs photocathode F ig. 2 Residual gas spices befor e introduceing g as Ar 收稿日期: 1997 08 07 2 GaA s 107 M O CV D p Zn 2 1018 cm- 3 GaA s 180 44 , 10 10- 7 Pa 2 1 a CO2 , 2 3 A r , Ar 1 10- 6Pa, 1 , 24 ( 3 3 Ar ) 3 , , F ig. 3 Residual gas spices after introdu ceing gas A r , Cs , ( 1 b c ) , b , 7 , c * A r ( ) , 3 , A r 2 NEA GaA s , : 1) GaAs , Cs , Cs , GaA s 4 , 5, 6 2) , , Cs Cs , 0 Aug er Cs 3 , 3 Cs , , Cs GaA s 6 RBS 7 GaA s CO2 H2 O , , H O CO , 2 2 CO CO O , H O 2 2