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摘要
摘要
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摘 要
纳米胶质量子点(Colloidal quantum dot, CQD)材料是目前国际研究的焦点,可 用于各种光电器件中,如光电探测器、光电二极管、太阳能电池等。其中利用这 种材料制成的第三代太阳能电池,具有成本低、可实现大面积生产、宽太阳能光 谱吸收等优点,为太阳能电池产业带来了新希望。然而,相比于块体半导体,量 子点材料的光电特性及很多实验现象尚未被深入理解,这制约着其推广应用以及 对器件性能的提升。精确的激子寿命测量是解释材料光电实验现象的第一步。虽 然光致发光(Photoluminescence, PL)技术是测量激子寿命的主要手段,但其较低的 测量精度,使得研究人员们还无法建立关于量子点中激子输运等动态机制的精确 物理模型。光载流子辐射测量技术(Photo-carrier radiometry, PCR)作为一种频域 PL 调制技术,具有全光、无损、非接触、快速等优点,非常适用于检测柔软的易受 损的 CQD 材料。PCR 的频率调制特性使其对 CQD 中激子的动态弛豫过程进行研 究时显示出高的信噪比和精度,尤其是 PCR 信号的相位成分。但 PCR 技术欠缺与 CQD 材料相匹配的模型与方法。本文基于传统 PCR 技术发展了 CQD-PCR 模型, 完成了 CQD 中激子输运性质的实验研究和理论分析。
第一,发展了适用于量子点材料的 CQD-PCR 理论模型,使得 PCR 技术对半 导体材料电参数的测量应用领域从三维块体材料扩展到了零维量子点材料。
(1)建立了三种 PCR 频域信号分析模型,用以反演 CQD 中的激子寿命,包 括:根据任意的量子点尺寸分布建立的连续单独 Voigt 型高斯分布模型、简化的多 重弛豫方式叠加的离散 ad hoc 模型和经过严格数学推导得出的变分反演模型。
(2)发展了激子弛豫速率方程模型。该模型同时包含了激子的辐射复合和非 辐射复合通道,并且分析了 PbS 量子点材料的最低激子能级分裂以及最低激子能 级与缺陷能级进行能量交换时会有多个声子参与的情况。
第二,搭建了 PCR 实验系统,通过对两种经过不同表面修饰法得到的 PbS CQD 薄膜(非耦合样品和耦合样品)的 PCR 实验研究,验证了量子点材料的 CQD-PCR 理论模型,为 CQD 材料中激子输运等动态特性的研究开辟了一条新的途径。
(1)通过 CQD-PCR 频率扫描实验结果验证了三种 PCR 频域信号分析模型的 正确性,反演重建得到了 PbS 量子点薄膜材料在各温度下的激子寿命分布谱线和 精确的有效寿命。在数据处理过程中发现,Voigt 型只适用于非耦合样品,ad hoc 型和变分反演法对两种样品都适用,但通过对比,变分反演法计算得到的激子寿 命谱线可靠性最高,并且能够分辨出同时发生的不同激子弛豫机制,这在相关领
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域的研究中尚属首例。研究发现具有不同量子点间距的薄膜材料,能够产生不同
类型的寿命分布谱线,体现出不同的激子输运性质,这对我们深入理解 CQD 材料 中的激子弛豫机制具有重要意义。量子点间距离较长的薄膜(非耦合样品)中, 光生激子被限制在本地复合,而量子点间距离较短的薄膜(耦合样品)中,光生 激子能够通过最邻近跳跃(Nearest neighbour hopping, NNH)和福斯特共振能量转移 (F?rster resonance energy transfer, FRET)等方式进入邻近的量子点中,再复合回到基 态。PCR 方法测得的激子寿命精度高于时间分辨 PL 方法。
(2)分析随温度变化的激子寿命分布,验证了速率方程模型的正确性。分析 中分别提取出了两种样品的辐射复合寿命 τR 和非辐射复合寿命 τNR,并且计算得到 了 PbS 量子点的最低激子能级的分裂能量差。所得结果进一步验证了两种样品中 具有不同的激子弛豫方式,也符合材料制备过程中采取了不同表面修饰方法这一 情况。
(3)进行了三种 PCR 辅助实验研究,实验结果与 PCR 频率扫描实验结果相 互补充,具有良好的一致性,进一步证明 PCR 技术是研究量子点材料光电特性的 有效手段。PCR 强度扫描实验说明本文所用 PbS 量子点薄膜样品对入射激光的响 应是线性的;根据 Arrhenius 公式对 PCR 温度扫描实验结果进行分析,得到了两种 样品的非辐射复合中心的激活能;PCR 时间扫描实验结果证实了两种样品中所含 缺陷能级的状态。
第三,首次成功利用 PCR 技术对 CQD 太阳能电池开展了初步的实验研究。 本工作中测试了 PbS CQD 点太阳能电池的伏安特性曲线,并对其开展了 PCR 频率 扫描实验,重建了太阳能电池的光吸收层中的激子寿命分布谱线。发现电池中的 激子寿命稍长于单纯薄膜中的激子寿命。
综上
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