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具有挠曲电效应的纳米电介质变分原理及控制方程ViewTableof
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胡淑玲 and 申胜平
itation: 中国科学G辑: 物理学 力学 天文学 3399, 1762 (2009); doi: 10.1360/2009-39-12-1762
View online: /doi/10.1360/2009-39-12-1762
View Table of ontents: /publisher/scp/j ournal/S SGPMA/39/12
Published by the 《中国科学》杂志社
AArrttiicclleess yyoouu mmaayy bbee iinntteerreesstteedd iinn
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SCIENCE IN CHINA PRESS
具有挠曲电效应的纳米电介质变分原理及控制
方程
胡淑玲, 申胜平*
西安交通大学航天航空学院强度与振动教育部重点实验室, 西安 710049
* E-mail: sshen@
收稿日期: 2009-06-08; 接受日期: 2009-10-12
国家重点基础研究发展计划(编号: 2007CB707702)和国家自然科学基金(批准号:资助项目
摘要 纳米电介质具有较强的挠曲电效应, 并且该效应与大的应变梯度相耦合. 在纳 关键词
米尺度, 静电力不能被忽略. 我们基于电学焓, 建立了可考虑应变及极化梯度效应以及静 挠曲电效应
电力影响的纳米电介质变分原理. 由此变分原理, 导出了其控制方程, 给出了广义静电应 变分原理
力的表达式. 广义静电应力由两部分组成, 一部分为与极化及应变有关的 Maxwell 应力, 控制方程
电介质
另一部分为与极化梯度及应变梯度有关的应力. 我们的工作为研究纳米电介质中的力电
静电应力
耦合问题提供了基础.
纳米尺度
作为电介质材料力电耦合问题分析和计算的基 动力学所证实[10,11] . 挠曲电理论与晶格动力学都预
础, 变分原理长期以来都得
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