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IRG7S313UTRLPBF;IRG7S313UPBF;中文规格书,Datasheet资料
IRG7S313UPbF
Features Key Parameters
Advanced Trench IGBT Technology VCE min 330 V
Optimized for Sustain and Energy Recovery V typ. @ I = 20A 1.35 V
CE(ON) C
circuits in PDP applications I max @ T = 25°C 160 A
RP C
Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 °C
for improved panel efficiency
High repetitive peak current capability
Lead Free package C
E
C
G
G
2
E D Pak
n-channel IRG7S313UPbF
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