半导体陶瓷封装生产过程焊线工序改进.pdfVIP

第章绪论 围110射频径向金属氧化物器件(RFLDMOS)器件的内部焊线的连接情况 图J11是射频．径向金属氧化物器件(RFLDMOS)内部捍线图的连接情 况。在这张图中DIE就是晶体管电路芯片，MOSl，2，3就是电容电路芯片。 它们又通过GI，G2，G3，DI，D2五组线弧连接在一起。每一组线弧有不同 的长度和高度。 第一章绪论 图1．11射频．径向金属氧化物器件(RFLDMOS)的内部焊线图 1．3本论文的主要工作 LDMOS)目前被广泛的应用于GSM 射频一径向金属氧化物器件(RF CDMA的基站中。它的主要作用是用于信号的放大。衡量器件好坏主要有几个 参数：增益(GAIN)，内部交调(1MOD)和效率(EFF)等。 由于该产品制造工艺复杂，研发困难，且成本较高，对器件性能要求也较 高，所以只有少数的国际著名的半导体公司在生产制做；且如何提高良品率及 器件的射频性能和可靠性，也是摆在他们面前的实际问题。 因此在本论文中运用了目前国际上比较先进的六西格玛的方法(Six—Sigma DMAIC Method)来提高器件整体的射频性能和可靠性． 6 第一章绪论 五大步骤： 1．在界定(Define)环节，确认焊线工序的良品率及器件射频性能状况； 2．在测量(Measure)环节，检验出测量设备的原始状况，通过试验找到 改进的依据； 3．在分析(Analyze)环节，通过采用归纳总结及变异源分析(SOV)找 出影响器件射频性能及良品率问题的关键点； 4．在改进(Improve)环节，进行工艺及设备改进；工艺改进主要采用试 of Process 验设计(Design Method)改正相应的问题环节，提 Control—SPC)，及比较方法(Comparative 高了焊线工艺的良品率； 设备改进从改进影响线弧的部件为切入点，逐步消除 了设备与设备之间的差异，从而达到了各台设备都是在一个相同的平台基础之 上： 5．在控制(Contr01)环节，制订相应文件及规章制度，巩固取得的成果， 稳定了工艺制程，提高了焊线工序的良品率； 从而最终提高器件的整体射频性 能和稳定性。’ 为达到这一目的主要进行了两个方面的工作： 第一，利用工艺改进，稳定焊线工艺制程，提高焊线工序良品率。 第二，通过改善设备性能，提高线弧的一致性，从而最终整体提高器件的 射频性能和可靠性． 以上工作的展开，都是在有一定的理论基础之上进行的。因为LDMOS有 几组线弧且每组线弧有不同的长度和高度。通过变化不同组线弧的长度和高 度，可以改变各种连接的内部阻抗，从而可以得到不同的增益(GAIN)，效率 (EFF)，内部交调(IMOD)。也就是说一个器件的射频性能的好坏完全取决 与它内部线弧的连接的好坏。各组线弧的可靠连接是器件性能的可靠保证。因 此本论文论述的就是通过改善工艺制程以提高焊线工序的稳定性，从而避免在 焊线过程中不粘(Non．Stick)和断线(BreakWire)等缺陷的产生。这样就确 保生产出的产品有很高的良品率。在焊线工序良品率很高，工艺很稳定的基础 上，怎样保证生产的产品的一致性，又是一个新的挑战。所谓产品的一致性在 这里指的是产品的线弧的一致性。 线弧的一致性主要包括线弧的弧高和线弧最高点的位置。 (请参见图 1．12)。因为通过大量的实验发现这两个参数的变化将直接影响到器件的增益 (GAIN)，效率(EFF)及内部交调(1MOD)。 7 第一章绪论 线弧最高