立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究ViewTableofContents.PDF

立立式式氢氢化化物物气气相相外外延延反反应应器器生生长长GaN模模拟拟研研究究 赵传阵, 修向前, 张荣, 谢自力, 刘斌, 刘 辉, 颜怀跃 and 郑有炓 Citation: 中国科学: 物理学 力学 天文学 40, 82 (2010); doi: 10.1360/2010-40-1-82 View online: http://engine.s i hina. om/doi/10.1360/2010-40-1-82 View Table of Contents: http://engine.s i hina. om/publisher/s p/journal/SSPMA/40/1 Published by the 《中国科学》杂志社 Articles you may be interested in 碳族元素氢化物与氢反应的对比 S ien e in China Series G-Physi s, Me hani s Astronomy (in Chinese) 35, 643 (2005); 气相外延生长单晶金刚石薄膜 S ien e in China Series A-Mathemati s, Physi s, Astronomy Te hnologi al S ien e (in Chinese) 23, 993 (1993); 阴极充氢TiAl中氢化物的研究 Chinese S ien e Bulletin 37, 2285 (1992); 过渡金属氢化物和聚集双键化合物反应的研究——(Cp_2ZrH_2)_x和RNCS(R=C_6H_5,β-C_(10)H_7)的反应 Chinese S ien e Bulletin 31, 1837 (1986); 薄膜外延生长及其岛核形成的计算机模拟 S ien e in China Series G-Physi s, Me hani s Astronomy (in Chinese) 34, 131 (2004); 中国科学: 物理学 力学 天文学 2010 年 第40 卷 第1 期: 82 ~ 85 SCIENCE CHINA PRESS 论 文 立式氢化物气相外延反应器生长GaN 模拟研究 * * 赵传阵, 修向前 , 张荣, 谢自力, 刘斌, 刘占辉, 颜怀跃, 郑有炓 江苏省光电信息功能材料重点实验室, 南京大学物理系, 南京 210093 * 联系人, E-mail: xqxiu@, rzhang@ 收稿日期: 2009-07-17; 接受日期: 2009-09-07 国家重点基础研究发展计划(编号: 2006CB6049)、国家高技术研究发展计划(编号: 2006AA03A103, 2006AA03A118, 2006AA03A142)、国 家自然科学基金(批准号: 60731160628)、高等学校博士学科点专项科研基金(编号: 20050284004)和江苏省创新学者 攀登项目(编号: BK2008019)资助 摘要 利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化, 发现在新设计 关键词 的立式氢化物气相外延反应器中, 存在衬底与气体入口的最佳距离, 在最佳距离位置上, GaN 氢化物气相外延 沉积的均匀性最好. 在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5 cm. 在此基础上, 模拟 流体动力学 得到了优化的生长参数. 模拟的结果还表明重力方向与GaCl 气体出口方向的夹角的大小, 对GaN 沉积的速率和均匀性影响很大. 重力方向与GaCl 气体出口方向相反时得到的计算 结果与两者方向相同时得到的计算结果比较,