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图解半导体制程概论 【半导体】具有处于如铜或铁等容易导电的【导体】、与如橡胶或玻璃等不导电的【绝缘体】 中间的电阻系数、该电阻比会受到下列的因素而变化。如：杂质的添加·温度 光的照射·原子结合的缺陷 █ 半导体的材料 硅(Si)与锗(Ge)为众所周知的半导体材料.这些无素属于元素周期素中的第 IV 族,其最外壳 (最外层的轨道)具有四个电子.半导体除以硅与锗的单一元素构成之处,也广泛使用两种以上 之元素的化合物半导体. ●硅、锗半导体 （Si、Ge Semiconductor) 单结晶的硅、其各个原子与所邻接的原子共价电子（共有结合、共有化）且排列得井井有 条。利用如此的单结晶，就可产生微观性的量子力学效果，而构成半导体器件。 ●化合物半导体(Compound Semiconductor) 除硅（Si)之外，第III 族与第V 族的元素化合物，或者与第IV 族元素组成的化合物也可用 于半导体材料。例如，GaAs （砷化镓）、Gap （磷化砷）、AlGaAs （砷化镓铝）、GaN （氮 化镓）SiC （碳化硅）SiGe （锗化硅）等均是由2 个以上元素所构成的半导体。 █ 本征半导体与自由电子及空穴 我们将第IV 族（最外层轨道有四个电子）的元素（Si、Ge 等），以及和第IV 族等价的化 合物（GaAs 、GaN 等），且掺杂极少杂质的半导体的结晶，称之为本征半导体（intrinsic s emiconductor ）。 ●本征半导体（intrinsic semiconductor ） 当温度十分低的时候，在其原子的最外侧的轨道上的电子（束缚电子（bound electrons ） 用于结合所邻接的原子，因此在本征半导体内几乎没有自由载子，所以本征半导体具有高电 阻比。 ●自由电子（free electrons ） 束缚电子若以热或光加以激发时就成为自由电子，其可在结晶内自由移动。 ●空穴（hole ） 在束缚电子成为自由电子后而缺少电子的地方，就有电子从邻接的 Si 原子移动过来， 同时在邻接的Si 原子新发生缺少电子的地方，就会有电子从其所邻接的Si 原子移动过来。 在这种情况下，其与自由电子相异，即以逐次移动在一个邻接原子间。缺少电子地方的移动， 刚好同肯有正电荷的粒子以反方向作移动的动作，并且产生具有正电荷载子（空穴）的效力。 █ 添加掺杂物质的逆流地导体与电子及空穴 将第V 族的元素（最外层的轨道有五个电子）添加在第IV 族的元素的结晶，即会形成 1 个自由电子且成为N 型半导体。 将第Ⅲ族的元素（最外层的轨道有三个电子）添加在第IV 族的元素的结晶，即会产生 缺少一个电子的地方且成为P 型半导体。 ●N 型半导体（N type Semiconductor ） N 型半导体中，自由电子电成为电流的主流（多数载了），并将产生自由电子的原子， 称为“施体（donor ）”。施体将带正电而成为固定电荷。不过也会存在极少的空穴（少数载 子）。 作为N 型掺杂物质使用的元素有：P 磷；As 砷；sb 锑 ●P 型半导体（P type Semiconductor ） 在P 型半导体中，空穴成为电流的主流（多数载子），并将产生空穴的原子，称为“受 体（acceptor ）”。受体将带负电而成为固定电荷。不过也会存在极少的自由电子（少数载子）。 作为P 型掺杂物质使用的元素有：B 硼；Zn 锌 █ 漂移电流及扩散电流 流动于半导体体中的电流有两种：漂移电流与扩散电流。MOS 型半导体中漂移电流起 着很重要的作用，而双极型半导体中扩散电流的作用很重要。 ●漂移电流（drift current ） 与电阻体（哭）相同，由于外加电压所产生的电场，因电子和空穴的电性相吸引而流动 所产生的电流。场效应管（FET ）内流动的电流称为漂移电流。 ●扩散电流（diffusion current ） 将P 型半导体与N 型半导体接合且加电压。如电子从N 型半导体注入到P 型半导体， 而空穴从P 型半导体注入到N 型半导体，即电子和空穴因热运动而平均地从密度浓密的注 入处移动到密度稀薄的地方。以这样的结构所流动的电流称为扩散电流。在双极性（双载子） 晶体管或PN 接合二极管，扩散电流为主体。 █PN 接合和势垒 在接合前，由于P 型半导体存在