项目一二极管单向导电板的制作.pptVIP

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项目一 二极管单向导电板的制作 (课次1) 江苏省泗阳中等专业学校 1、了解什么是半导体、P型半导体和N型半导体; 2、了解PN结的形成过程及其特性; 3、掌握二极管的符号、特性及特性曲线等; 4、会用万用表判断二极管的质量。 江苏省泗阳中等专业学校 教学目标: 江苏省泗阳中等专业学校 1.晶体二极管 (2)符号:如图。其中: 三角形——正极, 竖杠——负极, V——二极管的文字符号。 图 1.1.1 晶体二极管的外形和符号 (1)外形:由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。如图1.1.1(a)所示; 江苏省泗阳中等专业学校 2.晶体二极管的单向导电性: 动画 晶体二极管的单向导电性 (1)正极电位>负极电位,二极管导通; (2)正极电位<负极电位,二极管截止。 即二极管正偏导通,反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。 江苏省泗阳中等专业学校 二极管由半导体材料制成。 动画 PN结 1.半导体:导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si)或锗(Ge)半导体。 半导体中,能够运载电荷的的粒子有两种: 江苏省泗阳中等专业学校 载流子:在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴,统称载流子。如图1.1.4所示。 图1.1.4 半导体的两种载流子 江苏省泗阳中等专业学校 2.本征半导体:不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低,为提高导电性能,需掺杂,形成杂质半导体。 3.杂质半导体:为了提高半导体的导电性能,在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同,可分两种: (1)P型半导体:本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3价)所形成的半导体,如P型硅。多数载流子为空穴,少数载流子为电子。 (2)N型半导体:在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素(5价)所形成的半导体,如N型硅。其中,多数载流子为电子,少数载流子为空穴。 将P型半导体和N型半导体使用特殊工艺连在一起,形成PN结。 江苏省泗阳中等专业学校 4.PN结:N型和P型半导体之间的特殊薄层叫做PN结。PN结是各种半导体器件的核心。如图1.1.5所示。 PN结具有单向导电特性。即: P区接电源正极,N区接电源负极,PN结导通;反之,PN结截止。 晶体二极管之所以具有单向导电性,其原因是内部具有一个PN结。其正、负极对应于PN结的P型和N型半导体,如图1.1.5所示。 图示 PN结 江苏省泗阳中等专业学校 1.1.3 二极管的伏安特性 1.定义:二极管两端的电压和流过的电流之间的关系叫作二极管的伏安特性。 2.测试电路:如图所示。 图1.1.6 测试二极管伏安特性电路 江苏省泗阳中等专业学校 3.伏安特性曲线:如图所示。 江苏省泗阳中等专业学校 4.特点: (1)正向特性 ①正向电压VF小于门坎电压VT时,二极管V截止,正向电流IF = 0; 其中,门槛电压 ②VF>VT时,V导通,IF急剧增大。 导通后V两端电压基本恒定: 结论:正偏时电阻小,具有非线性关系(非正比例关系)。 江苏省泗阳中等专业学校 (2)反向特性 反向电压VR<VRM(反向击穿电压)时,反向电流IR很小,且近似为常数,称为反向饱和电流。 VR>VRM时,IR剧增,此现象称为反向电击穿。对应的电压VRM称为反向击穿电压。 结论:反偏电阻大,存在电击穿现象。 江苏省泗阳中等专业学校 5.主要参数 (1)普通整流二极管 ①最大整流电流IFM:二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。 ②最高反向工作电压VRM:二极管允许承受的反向工作电压峰值。 ③反向漏电流IR:规定的反向电压和环境温度下,二极管反向电流值。 (2)稳压二极管 主要参数:稳定电压VZ、稳定电流IZ、最大工作电流IZM、最大耗散功率PZM、动态电阻rZ等。

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