基于单片机的半导体禁带宽度测定-徐州工程学院学报.PDF

第28卷第4期 徐州工程学院学报(自然科学版) 2013年12月 V01．28No．4 ofXuzhouInstituteof SciencesEdition) Dec．2013 Journal Technology(Natural 基于单片机的半导体禁带宽度测定 张秀民 (徐州工程学院，江苏徐州 221111) 摘要：针对采用光学法、电学法测量半导体禁带宽度时操作与数据计算都不够简便的问题，依 据半导体物理学的基本规律：由半导体材料组成的PN结其正向电压V，和温度T在一定条件下具 有高度的线性相关，利用常用物理实验仪器采集PN结的电压和温度信号，并加以放大和转换；单 片机自动采集、存储、线性化放大和转换后的电压和温度信号，计算后显示测量结果．测量结果较准 确、测量误差较小，用单片机对禁带宽度的实际测量可行、简便． 关键词：半导体；禁带宽度；PN结；单片机 中图分类号：0471文献标志码：A 文章编号：1674-358X(2013)04—0039—04 半导体材料的禁带宽度是一个标志半导体导电性能的重要参量，它直接决定着半导体器件的耐压和最 高工作温度．单片机在自动测量中的强大功能也为半导体禁带宽度测定提供了便利．在一定条件下，半导体 材料组成的PN结正向电压V，和温度T具有以下关系： Vv—Vg(o)+ST． 实验中利用单片机自动采集V，、T信号，计算二者的线性相关系数，若满足高度的线性相关，计算和显示的 V砌，值即为材料的禁带宽度对应的电势差． 1 半导体禁带宽度及测量原理 1．1半导体禁带宽度 半导体中电子的能量取值在一些不连续的能带上．大量的价电子被原子束缚，处于不能导电的价带中， 而当价带中的部分电子在一定条件下跃迁产生自由电子和自由空穴，自由电子存在的能带称为导带，价带和 导带均由许多能级组成，电子就分布在能带中的能级上．禁带是指价带和导带之间，电子不能占据的能量范 围，而跃迁产生的电子和空穴：电子一般多分布在导带底附近、空穴多分布在价带顶附近．价电子从价带获得 足够能量跃迁到导带的能量最小值就是禁带宽度，也即禁带宽度为导带底与价带顶之间的能量差‘1I． 禁带宽度表示半导体中的公有化电子所不能具有的能量范围心]，半导体中不存在具有禁带宽度范围内 这些能量的电子，这是量子效应的结论．禁带宽度的大小反映了价电子被束缚强弱程度口]，如：硅的原子序数 eV、0．66 比锗的小，则硅的价电子被束缚得较紧，因而禁带宽度比锗的大，在室温下分别为1．12 eV[43；金刚 石在一般情况下是绝缘体，因为碳原子序数很小，对价电子的束缚作用更强，价电子在一般情况下都摆脱不 了价键的束缚，所以金刚石的禁带宽度很大，室温下为5．47eV．禁带宽度是一个标志半导体导电性能的重 要参量，禁带宽度大的半导体，其价电子跃迁成为自由电子和空穴所需的能量就越大，相同条件下的跃迁几 率就越小，载流子不足因而导电能力下降．禁带宽度大小主要决定于半导体的能带结构，与晶体结构和原子 的结合性质等有关；另外还与半导体的掺杂浓度和温度等有关，具有负的温度系数，如：硅的禁带宽度0K时 是1．17eV，而室温时下降到1．12 eV．在半导体的应用方面，禁带宽度直接决定着半导体器件的耐压和最高 工作温度，禁带宽度越大的半导体器件其耐压值和最高工作温度都较高． 1．2 常见半导体的禁带宽度 按禁带宽度的大小，通常把禁带宽度较小的硅、锗等称为第一代半导体材料，而禁带宽度较大的砷化镓、 收稿日期：2013-07—26 作者简介：张秀民(1963一)，男，江苏邳县人，高级实验师，主要从事测量与物理实验研究 · 39· 万方数据 徐州工程学院学报(自然科学版)