光刻机运动平台功率放大控制卡设计与实现-机械电子工程专业论文.docxVIP

华 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 PAGE PAGE 10 1 绪论 1.1 课题来源 本论文课题得到以下项目资助： (1) 十一五国家科技重大专项项目：“光刻机双工件台系统样机研发”（项目编号： 2009ZX02208-006） 1.2 课题研究的目的及意义 目的：研究设计基于 FPGA 为核心处理器的功率放大控制板卡，应用于光刻机控 制系统中，实现和远程运动控制板卡的数据通信功能，进而实现复杂高速、超精密运 动控制体系。因为功率放大控制卡（PAC）能否正常工作直接影响到光刻机运功控制 系统的工作性能，作为光刻机复杂运动控制系统的底层板卡，对 PAC 卡进行准确的调 试可以大大提高 PAC 卡设计进度，降低了损坏样机的风险，而且还可以进行在样机上 无法做或暂时不能做的实验，有助于光刻机双工件台控制系统的研发。 意义：光刻机是集成电路（IC）装备中最重要、最复杂的核心设备，直接体现了 一个国家的制造技术水平和能力。IC将人类的智慧与创造固化在硅芯片上，它无处不 在，改变着社会的生产方式和人们的生活方式，成为现代产业和科学技术的基础。芯 片业已被世界公认为是电子工业、信息产业乃至整个国民经济增长的驱动力量[1]。IC产 业是高投入、高利润的产业。现代经济发展数据表明，1 元的集成电路产值可以带动 10 元左右电子产品产值和 100 元国民经济的增长，这个数字也反映出集成电路对信息 产业和国民经济的关联度。 同时两者之间也存在一定的对应关系，国家用于支持集成 电路产业发展的支持，会将在整个国民经济中的加速发展中得到加速的补偿。由此可 见IC产业对于国民经济的重要性[2]。但是由于国内IC制造装备及成套工艺方面研究起步 较晚，国外对我国进行技术封锁等原因导致国内光刻机技术存在较大差距。其定位精 度为 60～70nm，运行速度为 100mm/s，采用 3 轴激光干涉测量系统，仅为步进型光刻 机阶段，同步扫描光刻机则尚属空白。此外，国内所达精度指标只能满足 0.5um级光刻 要求，落后国外技术 5 代，且超精密纳米级控制技术尚不成熟甚至空白[3]。鉴于IC制造 技术对国家信息产业的基础性作用，为此，国家将其列为“十五”12 项重大专项项目 之首，进行了 100nm同步扫描光刻机系统的研制。现在国家“十一五”科技重大项目 将 65nm的双工件台样机的研发列为重大攻关项目，组织国内优势力量进行攻关，冲刺 光刻机这一IC关键装备及超精密制造技术，以期打破国外技术封锁，为发展自主IC产 业提供重要基础。 1.3 功率放大控制卡应用背景及关键技术简述 在光刻机步进扫描的过程中，功率放大控制卡通过输出模拟指令电压信号到伺服 驱动器中来控制直线电机和音圈电机按照给定的运动轨迹运动。伺服驱动器的性能和 伺服驱动器的控制技术直接影响到电机运动过程中的精度。直线电机和音圈电机的步 进扫描运动，带动工件台和掩膜台按照预定的轨迹运动，才能完成高精度的光刻工 艺。而工件台、掩膜台分系统无疑是关键系统之一，其高速、高精度的运动及其有效 地控制是光刻机获得高质量、高性能的重要条件。而这其中双工件台技术是提高光刻 机光刻工艺一个关键技术。 1.3.1 光刻工艺及双工件台技术 光刻机先后经历了从接触式光刻机、接近式光刻机、全硅片扫描投影式光刻机、 分步重复投影式光刻机到目前普遍采用的步进扫描投影式光刻机的发展历程[4-8]。光刻 工艺通过曝光的方法将掩模上的图形转移到涂覆于硅片表面的光刻胶上，然后通过显 影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上。光刻工艺直接决定了大规模集成电路的特征尺 寸，是大规模集成电路制造的关键工艺。作为光刻工艺中最重要设备之一，光刻机一 次次革命性的突破，使大规模集成电路制造技术飞速向前发展[9]。 随着硅片直径的增大，集成度的提高，图形线宽缩小，对完成硅片步进和扫描任 务的工件台的要求越来越高。其运动精度、同步精度、生产效率等技术指标远远高于 常规的高速高精工作平台，其精度指标达到纳米级。所以，采用常规的设计方法已无 法满足设计需要。在单工件台系统中，硅片的上片、对准、调焦调平、曝光、下片是 依次进行的，增加测量时间必然会降低光刻产率。为此，人们提出了双工件台技术， 一个工件台上的硅片进行曝光的同时，另一个工件台上硅片可以进行上片、对准、调 焦调平、下片等操作[7] [8]。超精密光刻机工件台有以下4项关键技术： 1) 直线电机直接控制技术 2) 高精度的调焦调平技术 3) 高精度的同步扫描控制技术 4) 超高精度的光学、机械零部件加工、装调技术 在步进与扫描过程中, 通过调平调焦测控系统将芯片调整到最佳焦平面, 工件台 与掩模台作超精度同步运动, 实现步进扫描曝光。由此可见只有以上几点关键技术都 得以满足，才能更高光