硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触的研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

、、、、、、、、h、、、、～|IIIIlll[I 、、、、、、、、h、、、、～ |IIIIlll[I Ill Illl IIflllll Illl’／ }Y1 943083 学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的 研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含 其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得直昌太堂或其他教育 机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何 贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意： 一一‘ 学位论文作者签名： 签字日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解直星太差有关保留、使用学位论文的规定，有权 保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借 阅。本人授权直昌太堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行 检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。同时授 ‘权中国科学技术信息研究所将本学位论文收录到中国学位论文全文数据库》， 并通过网络向社会公众提供信息服务。 (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名： 导师签名： 签字日期： 年 月 日 签字日期： 年 月 日 摘要摘要 摘要 摘要 近几年来，在Si衬底上生长GaN取得了很大的进展。相对于不导电的蓝宝 石衬底，Si衬底的散热好，价格低，并且已经成功研制出了垂直结构的LED。 相对于同侧结构的LED，垂直结构的GaN基LED能够缓解电流拥堵，散热性差 等同侧结构LED的固有缺点，有效提高器件的可靠性与寿命，并且可以采用表 面粗化以及反射镜来提高器件光提取效率。Si村底垂直结构的LED，仅用简单 的化学腐蚀就可以轻松去除，这成为其又一巨大的优势。本文研究$iON钝化层 对Si衬底GaN基蓝绿光LEDs稳定性能的影响以及Ag与Si衬底P-GaN欧姆接 触和反射率。获得的部分创新研究成果有： 对4种不同钝化层Si衬底绿光LEDs进行超大电流密度(312A／emz)加速 老化。结果表明完全钝化(侧面和台面均钝化)的硅衬底绿光LED呈现良好的 可靠性。SiON(尤其是侧边钝化层)能钝化芯片表面态，抑制老化过程中的热 生缺陷的产生，从而减少漏电流，降低光功率衰减等。长有SiON钝化层的Si 衬底蓝绿光LEDs的光功率分别提高12．9％和7．4％．此外，值得一提的是，在电 流密度高达312A／em2时加速老化168小时，即使无钝化层的样品，20mA工作 电流下光功率衰减也仅为10．94％。经30mA电流(大电流密度156A／era2)老化 1032小时后，有钝化层的绿光LEDs的波长漂移小于0．7rim，Ⅵ2变化为0．003V， 基本没有变化。SiON钝化层能有效吸收蓝光LEDs发光中的短波辐射以及隔离 环氧与高温芯片，减缓对环氧树脂的老化，从而降低芯片的光衰。 为了测量3种Mg激活条件和不同退火温度下P面Ag的反射率，找出最佳 的工艺条件，本实验首次提出用蓝宝石LED外延片在3种激活条件下，不同退 火温度下退火，并测量了Ag的反射率。结果表明牺牲Ni工艺的Ag反射率随着 退火温度一直升高。而牺牲Pt在40012最高．随后降低。用Si衬底LED外延片， 在不同激活条件和不同温度下退火，结果表明300℃牺牲Pt的I．v性能最佳，但 是随后下降与牺牲Ni的无区别。综合I．v特性和反射率，文本结果为在500C 牺牲Ni的条件最佳。对比有无Cr／Pt覆盖层，在不同温度下退火以及AFM的粗 糙度，结果表明Ag球聚导致反射率降低。Cr／Pt覆盖层能有效防止Ag发生球聚， 提高反射率。400C退火，在玻璃上测试的有Cr／Pt覆盖层的Ag的反射率达到 92．68％，与理论值96％很接近。 以上研宄结果在本单位生产基地芯片生产中部分采用。本文得到了国家863 课题和教育部半导体照明技术创新团队研究经费的资助． 关键词：Si衬底；SiON；GaN·LED；光衰；欧姆接触 AbsuactABSTRACT Absuact ABSTRACT ne印itaxial growth of GaN 0n Si substrate has made much progress in recent years．The reliability and the improvement of the efficiency are primary concerns for optoelectronic devices．Compare to the lateral LEDs，the vcrtical structure LEDs based on Si substrate have no current凹owdmg