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离子膜电解槽槽电压升高的原因和处理措施陈彦峰（南京化学有限公司，江苏 南京 210048） 离子膜电解槽槽电压升高的原因和处理措施 陈彦峰 （南京化学有限公司，江苏 南京 210048） 摘 要：介绍了离子膜电解槽槽电压的主要影响因素 ，结 合 生 产 实 践 ，探讨了槽电压升高的原因 和 处 理措施。 关键词：槽电压；离子膜；盐水杂质 中图分类号：TQ114.26+2 文献标识码：B 文章编号：1009－1785(2010)09－0019-03 Reasons and treatment of cell voltage rise of ionic membrane electrolyzer CHEN Yan-feng (Chlor-alkali Branch of Nanjing Chemical Co., Ltd., Nanjing 210048, China) Abstract: The main influence factors of cell voltage were introduced. The reasons and treatment measures of cell voltage rise were discussed. Key words: cell voltage; ionic membrane; brine purity 南京化学有限公司离子膜烧碱采用 5 台ZMBCH2.7 型电解槽， 设计能力为 10 万t/a， 于 2007 年 7 月投 产 。 以下结合该公司 离子膜装置生产的实际情况 ， 探讨槽电压的影响因素及异常情况的处理 。 1 槽电压构成 离子膜电解槽槽电压由理论分解电压 、膜电压、 阳极过电压、阴极过电压、溶液电压和金属导体电压 组成。 槽电压主要由电流或电流密度决定，工艺控制 条件包括盐水质量、气相压力及氯氢压差、淡盐水 pH 值、盐水浓度、碱液浓度、电槽温度等。 2 生产中槽电压升高的影响因素 2.1 盐水中的杂质 对槽电压影响较大的离子有 Mg2+、Fe3+、Ni3+等 。 Ca2+、Mg2+对离子膜生产影响非常大 ， 钙离子以氢 氧 化钙形式沉淀在阴极侧膜的羧基聚合物表面 ， 使膜 表面产生凹坑和孔洞。 镁离子会以氢氧化镁的形式 沉淀在膜的阳极侧，使槽电压快速升高。应严格控制 盐 水 中 Mg2+的 含 量 ，工艺要求进槽 盐 水 Ca2++Mg2+的 质量分数≤0.020×10-6。 有文献认为 ， 当 Fe3+在盐水中的质量分数超过 0.05×10-6 时 ， 它将在膜上形成杂质层 ， 使 槽 电 压 上 升；当盐水中 Ni3+质量分数超过 0.01×10-6 时，槽电压 盐水中的杂质包括 Ca2 + 、Mg2 + 、SO 2- 、Sr2 + 、Fe3 + 、 4 TOC、ClO- 、Al3+、Ni3+、I-、Ba2+、SiO 和 SS 等 ，不 同 杂 质 3 2 对槽电压影响也不 相 同[1]。 以氢氧化物或各种形式 沉淀在离子膜磺酸表层的杂质对槽电压的升高有明 显影响， 沉淀在羧酸表层的杂质仅影响电解的电流 效率，对槽电压无明显影响。杂质离子在离子膜上沉 积的位置如图 1 所示。 当盐水中 Al3+的质量分数超过 0.1×10-6、 即明显升高； Si4+的质量分数超过 10×10-6 时， 其沉淀物也会造成 20中国氯碱2010 年第 9 期槽电压的升高 [2]。TOC 会导致槽电压 快 速 上 升 ，甚至会造成安全 表1负压差条件下的槽电压 压 差/ kPa 20 中国氯碱 2010 年第 9 期 槽电压的升高 [2]。 TOC 会导致槽电压 快 速 上 升 ，甚至会造成安全 表1 负压差条件下的槽电压 压 差/ kPa 2# 槽 总 电 压/V 3# 槽 总 电 压/V 4.0 -1.0 -8.2 436.2 448.7 467.3 440.8 451.9 471.0 事 故 。 离 子 膜 表 面 0.25 g/m2 的 TOC 可 造 成 槽 电 压 上 升 100 mV，同 时 ，通 过进槽盐水排气视镜可观察 到泡沫增多 。 由于 TOC 的准确分析难度较大 ，对于 卤水用量较大的厂家应通 过加强卤水精制的工艺 2.3 氯气、氢气压力的变化 电解过程中，电槽阳极区产生氯气，阴极区产生 控 制 ， 确 保 TOC 含 量 合 格 ， 生 产 中 要 求 TOC 小 于 10×10-6 [2]。 南化公司在某次生产中发现电槽槽电压持续上 升，5 台电槽普 遍 上 升 20 V 以 上 ，槽 温 同 步 升 高 ，其 中 3# 电槽在 18 h 内上升了约 27 V， 立即对所有单 元