模拟电子-第五章-场效应管及其基本放大电路.pptVIP

华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 中华民族有着五千多年的文明历史，中华民族在世界上是一个非常卓越和伟大的民族。我们有过繁荣昌盛的唐朝，有过强盛无比疆域辽阔的汉朝和元朝，更有灿烂美丽的唐、宋文化 模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronic 第五章 场效应管及其放大电路 第五章 场效应管及其放大电路 §5.1 场效应管 §5.2 场效应管基本放大电路 §5.1 场效应管 一、结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管 三、场效应管的分类 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 绝缘栅型场效应管（MOSFET） 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 109 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 uGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； uGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 1. 结构和符号 P 型衬底 N+ N+ B g s d SiO2 源极 s 漏极 d 衬底引线 B 栅极 g s g d B 2. 特性曲线 (a)转移特性 (b)漏极特性 uGS UGS(th) ，iD = 0； 　　uGS ≥ UGS(th)，形成导电沟道，随着 uGS 的增加，iD 逐渐增大。 (uGS ≥ UGS(th) ) 　　三个区：可变电阻区、恒流区、截止区。 iD /mA UGS(th) 2UGS(th) IDO uGS /V O iD/mA uDS /V O 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 夹断区 二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 S G D B 0 uGS 沟道变窄，iD 减小 =0 漏源间存在导电沟道 ，iD 0 沟道加宽，iD 增大 即使 uGS = 0 ，漏源间也会形成导电沟道。 N 沟道耗尽型 MOS 管特性 工作条件： uDS 0； uGS 正、负、零均可。 iD/mA uGS /V O UGS(off) (a)转移特性 IDSS (b)漏极特性 iD/mA uDS /V O +1V uGS=0 -3 V -1 V -2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 　　uGS = UGS(off) , 感应电荷被“耗尽”，漏源间失去导电沟道，iD ? 0。 UGS(off)称为夹断电压 IDSS称为饱和漏极电流 场效应管的主要参数 一、直流参数 饱和漏极电流 IDSS 2. 夹断电压 UGS（off） 3. 开启电压 UGS(th) 4. 直流输入电阻 RGS 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 为增强型场效应管的一个重要参数。 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 　　输入电阻很高。结型场效应管一般在 107 ? 以上，绝缘栅场效应管更高，一般大于 109 ?。 二、交流参数 1. 低频跨导 gm 2. 极间电容 用以描述栅源之间的电压 uGS 对漏极电流 iD 的控制作用。 单位：iD 毫安(mA)；uGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS) 这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括 CGS、CGD、CDS。 极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。一般为几个皮法。 三、极限参数 1. 漏极最大允许耗散功率 PDM 2. 漏源击穿电压 U(BR)DS 3. 栅源击穿电压U(BR)GS 由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。 当漏极电流 iD 急剧上升产生雪崩击穿时的 uDS 。 场效应管工作时，栅源间 PN 结处于反偏状态，若uGS U(BR)GS ，PN 将被击穿，这种击穿与电容击穿的情况类似，属于破坏性击穿。 种 类 符 号 转移特性 漏极特性 结型 N 沟道 耗尽型 结型 P 沟道 耗尽型 绝缘 栅型 N 沟道 增强型 s g d s g d iD uGS= 0V + uDS + + o s g d B uGS iD O UT 各类场效应管的符号和特性曲线 + uGS = UT uDS iD + + + O iD uGS= 0V - - - uDS O uGS iD UP IDSS O uGS iD /mA UP IDSS 0 种 类 符 号 转移特性 漏极特性 绝缘 栅型 N 沟道 耗尽型 绝缘 栅型 P 沟道 增强型 耗尽型 iD s g d