微机原理单片机课件-9.pptVIP

第九章微机化仪表系统设计;第九章微机化仪表系统设计;9.1 基本结构;9.2 采样技术—串扰误差;9.2 采样技术—串扰误差;9.2 采样技术—串扰误差;9.2 采样技术—连续采样误差;9.2 采样技术—连续采样误差;9.2 采样技术—孔径时间误差;9.2 采样技术—孔径时间误差;9.2 采样技术—孔径时间误差;9.2 采样技术—孔径时间误差;9.3 信号放大—可变增益放大器;8.4.3 信号放大—可变增益放大器;8.4.3 信号放大—可变增益放大器;9.3 信号放大—仪用放大器;9.3 信号放大—时间比例型放大器;9.4 A/D转换器;9.4 A/D转换器—ADS1232;9.4 A/D转换器—过采样技术;9.4 A/D转换器—过采样技术;9.4 A/D转换器—过采样技术;8.4.4 A/D转换器—过采样技术条件;8.4.4 A/D转换器—过采样技术;9.4 A/D转换器—过采样技术;9.5 D/A转换器—PWM发生器;9.5 D/A转换器—电流转换器;9.5 D/A转换器—电流转换器;9.6 抗干扰设计--硬件抗干扰;常用硬件抗干扰技术 针对形成干扰的三要素，采取的抗干扰主要有以下手段。 抑制干扰源  ? 切断干扰传播路径  提高敏感器件的抗干扰性能  其它常用抗干扰措施 ?;?抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt， di/dt。 减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。 减小干扰源的di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。 ? ?; （1）继电器线圈增加续流二极管，消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加续流二极管会使继电器的断开时间滞后，增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数。 ? （2）在继电器接点两端并接火花抑制电路（一般是RC串联电路，电阻一般选几K到几十K，电容选0.01uF），减小电火花影响。? （3）给电机加滤波电路，注意电容、电感引线要尽量短。 ?;? （4）电路板上每个IC要并接一个0.01μF～0.1 μF高频去耦电容，以减小IC对电源的影响。注意高频电容的布线，连线应靠近电源端并尽量粗短，否则，等于增大了电容的等效串联电阻，会影响滤波效果。 ? （5）布线时避免90度折线，减少高频噪声发射。 ? （6）可控硅两端并接RC抑制电路，减小可控硅产生的噪声（这个噪声严重时可能会把可控硅击穿的）。?;? 按干扰的传播路径可分为传导干扰和辐射干扰两类。 ? 所谓传导干扰是指通过导线传播到敏感器件的干扰。高频干扰噪声和有用信号的频带不同，可以通过在导线上增加滤波器的方法切断高频干扰噪声的传播，有时也可加隔离光耦来解决。电源噪声的危害最大，要特别注意处理。? 所谓辐射干扰是指通过空间辐射传播到敏感器件的干扰。一般的解决方法是增加干扰源与敏感器件的距离，用地线把它们隔离和在敏感器件上加屏蔽罩。 ;? （1）充分考虑电源对单片机的影响。电源做得好，整个电路的抗干扰就解决了一大半。许多单片机对电源噪声很敏感,要给单片机电源加滤波电路或稳压器，以减小电源噪声对单片机的干扰。比如，可以利用磁珠和电容组成π形滤波电路，当然条件要求不高时也可用100Ω电阻代替磁珠。 ? （2）如果单片机的I/O口用来控制电机等噪声器件，在I/O口与噪声源之间应加隔离（增加π形滤波电路）。? （3）注意晶振布线。晶振与单片机引脚尽量靠近，用地线把时钟区隔离起来，晶振外壳接地并固定。 ;? （4）电路板合理分区，如强、弱信号，数字、模拟信号。尽可能把干扰源（如电机、继电器）与敏感元件（如单片机）远离。? （5）用地线把数字区与模拟区隔离。数字地与模拟地要分离，最后在一点接于电源地。A/D、D/A芯片布线也以此为原则。 ? （6）单片机和大功率器件的地线要单独接地，以减小相互干扰。大功率器件尽可能放在电路板边缘。 ? （7）在单片机I/O口、电源线、电路板连接线等关键地方使用抗干扰元件如磁珠、磁环、电源滤波器、屏蔽罩，可显著提高电路的抗干扰性能。 ;? 提高敏感器件的抗干扰性能是指从敏感器件这边考虑尽量减少对干扰噪声的拾取，以及从不正常状态尽快恢复的方法。 常用措施如下： ?;常用措施如下：  （3）对于单片机闲置的I/O口，不要悬空，要接地或接电源。其它IC的闲置端在不改变系统逻辑的情况下接地或接电源。 ? （4）对单片机使用电源监控及看门狗电路，可大幅度提高整个电路的抗干扰性能。 ? （5）在速度能满足要求的前提下，尽量降低单片机的晶振和选用低速数字电路。 ? （6）IC器件尽量直接焊在电路板上，少用IC座。 ?; 有以下几种地线：模拟地、数字地、信号地、系统地、交流地和保护地。 1．接地的设计方