模拟电子技术-场效应管及其基本放大电路.pptVIP

【例3.2】场效应管的夹断电压UGS(off)=-4V，饱和漏极电流IDSS＝4mA。试问：为保证负载电阻RL上的电流为恒流， RL的取值范围应为多少？ 解：UGS＝0，因而iD＝IDSS＝4mA，则 预夹断点（即恒流区最小的uDS ） uDS＝uGS－UGS(off) =0－(－4)＝4V uDS＝ VDD－uo =VDD－iDR L， Uomax＝VDD－4＝8V， 输出电压范围为0～8V，则 RL＝uo/IDSS=0~2 K? 3.1.3各种场效应管特性比较 1、MOS管与JFET的电流控制原理不同。JFET利用耗尽层的宽度改变导电沟道的宽度来控制沟道电流，MOSFET则是利用半导体表面的电场效应， 由感应电荷改变沟道来控制电流。 2、对结型FET而言，其输入电阻是是PN结的反向电阻，结型FET的输入电阻远比MOSFET低。 3、由于场效应管的类型较多，现将各种FET管工作时的偏置电压的极性总结如下： 4、各种场效应管的符号和对应的转移特性和输出特性见下表 3.2 场效应管的主要参数 3.2.1 直流参数 开启电压UGS(th):是uDS当一定时（如uDS =10V）, 漏极电流ID达到某一数值(如10μA)时，所需加的栅源电压uGS值。 夹断电压 UGS(off):当uDS一定时（如uDS =10V）,使漏极电流ID减小到某一个微小电流(如1μA)时,所需的栅源电压uGS值。 饱和漏极电流 IDSS: 栅源之间的电压uGS等于零, 而漏、源之间的电压大于夹断电压UGS(off)时对应的漏极电流。 直流输入电阻 RGS: 在漏极和源极短路时，栅源之间的电阻就是RGS 。由于栅极几乎不索取电流, 因此输入电阻很高。结型为107 Ω左右，MOS管可达1015Ω以上。 3.2.2 交流参数 低频跨导gm: gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 输出电阻rd 反映漏源电压uDS对漏极电流iD的控制能力。场效应管的输出电阻很大，一般为几十到几百千欧。 极间电容 场效应管三个电极之间也有电容效应，极间电容包括CGS、CGD和CDS等。极间电容的大小一般为几个pF，在低频小信号时可以忽略其影响。 3.2.3 极限参数 漏极最大允许耗散功率PDM 该功率转化为热能, 使管子的温度升高，PDM决定于场效应管允许的最高温度限制。该参数相当于晶体管的PCM 。 漏源击穿电压 U(BR)DS 当uDS过大使漏极产生雪崩击穿，从而使电流iD急剧上升时的uDS ，称为漏源击穿电压。 栅源击穿电压 U(BR)GS 当栅源极间的反向电压过高时，将使PN结反向击穿，使栅极电流急剧上升，此时的uGS值称为栅源击穿电压。 3.2.4 场效应管使用时的注意事项 1.不要使栅极悬空 2.结型场效应管栅压不能接反 3.绝缘栅管不能用万用表直接去测三个电极,应该用接地良好的专门仪器才能测试管子的好坏。 4.场效应管S和D极可以互换使用，但有些产品出厂时，已把S极和衬底连在一起，这时D、S就不能互换。 3.3 场效应管放大电路组成原理 场效应管也能够实现对信号的控制，因此能够组成放大电路。场效应管放大电路也有三种组态：共源极放大电路 (CS)，，共漏极放大电路 (CD)，共栅极放大电路 (CG)。 共源放大电路 共漏放大电路 共栅放大电路 3.3.1 场效应管的小信号等效模型 输入回路:开路 输出回路:电流源gmuGS 3.3.2 场效应管放大电路的组成原理及分析 1 、静态工作点与偏置电路 (1)自给偏压电路 静态分析 联立解出UGSQ，IDQ。注意只有满足(0≤ UGSQ ≤ UGS(off))的根才是方程的解。 中华民族有着五千多年的文明历史，中华民族在世界上是一个非常卓越和伟大的民族。我们有过繁荣昌盛的唐朝，有过强盛无比疆域辽阔的汉朝和元朝，更有灿烂美丽的唐、宋文化 中华民族有着五千多年的文明历史，中华民族在世界上是一个非常卓越和伟大的民族。我们有过繁荣昌盛的唐朝，有过强盛无比疆域辽阔的汉朝和元朝，更有灿烂美丽的唐、宋文化 中华民族有着五千多年的文明历史，中华民族在世界上是一个非常卓越和伟大的民族。我们有过繁荣昌盛的唐朝，有过强盛无比疆域辽阔的汉朝和元朝，更有灿烂美丽的唐、宋文化 模拟电子技术 第3章 场效应管及其基本放大电路 学习目标 了解场效应管的结构和类型 掌握绝缘栅型场效应管及结型场效应管的工作原理、特性和主要参数 掌握场效应管的小信号模型，掌握共源极、共漏极两种基本场效应管放大电路的工作原理、静态和动态分析方法 3.1 场效应管基本知