数字电路设计课件-第4讲-导线.pptVIP

趋肤深度δ 定义为电流下降为它的额定值的e－1时所处的深度： 其中：f是信号的频率；μ为周围电介质的介电常数（一般情况下等于真空的介电常数，即μ＝4π X 10－7 H/m） 铝在1GHz时的趋肤深度为2.6 μm. 高频下每单位电阻的表达式 高频时，电阻的增加可以引起在导线上传送信号有额外的衰减，并因此产生失真。 趋肤效应的发生 求出趋肤深度等于导体最大尺寸（W或H）一半时的频率fs。 当频率低于fs时，整个导线截面都导通电流，导线电阻等于低频时的电阻（常数）。 例题：趋肤效应和铝导线 一条布置在介电常数为4π X 10-7H/m的SiO2绝缘层上铝导线，其电阻率为2.7 X 10-8 Ω-m,由公式4.8可以求出，在1GHz时导线的最大尺寸至少为???才会导致这一效应比较明显。 不同宽度导体的趋肤效应 在1GHz时，宽度为20 μm的导线电阻增加30％，而宽度为1 μm的导线电阻只增加2％。 趋肤效应的总结 趋肤效应是较宽导线才有的问题。 由于时钟线往往传送一个芯片上最高频率的信号，并且它也相当宽以限制电阻，因此趋肤效应首先影响到这些线。 采用像铜这样的良导体会使趋肤效应在较低频率时就发生。（因为良导体的电阻率低，公式4.8) 4.3.3 INTERCONNECT 电感简介 在低速设计中，电感不予以考虑 高速设计中，长导线之间的电磁感应会相互影响，即在导线间发生串扰（crosstalk） 电感的计算方法 定义： 也可以直接从一根导线的几何尺寸和它周围的介质来计算。一条导线（每单位长度）的电容c和电感l之间的关系： ε：周围电介质的介电常数 μ：周围电介质的导磁率 例4.4 半导体导线的电感 将一条0.25 μm CMOS工艺实现的Al1导线布置在场氧上，由表4.2可以计算出该导线每单位长度的电容： 电感为： 导线宽度分别为0.4 μm 、1 μm 和10 μm 时： W=0.4 μm , c=92aF/ μm , l=0.47pH/ μm W=1 μm , c=110aF/ μm ,l=0.39pH/ μm W=10 μm , c=380aF/ μm ,l=0.11pH/ μm 4.4 导线模型 4.4.1 理想导线 导线是没有任何附加参数和寄生元件的简单连线，对电路的电气特性没有任何影响。 虽然简单，但有价值，在设计过程的早期希望集中研究被连接的晶体管的性质和特点时往往使用理想导线模型。 研究较小的电路元件时，导线往往非常短，所以其寄生参数可以忽略不计。 4.4.2 集总电容模型（Lumped Model） 一条导线的电路寄生参数沿长度分布，不能集总于一点； 当只有一个寄生元件占支配地位时，并且这些寄生元件之间的相互作用很小时，或者只考虑电路特性的一个方面时，把各个不同的部分集总成单个电路元件常常很有用。 The Lumped Model 只要导线的电阻很小，并且开关频率较低，就可以合理地只考虑电容效应，并把分布的电容集总为单个电容。 该模型中，导线仍表现为一个等势区，导线本身不引入任何延时。对性能的唯一影响是由电容对于驱动门的负载效应引起。 EE141 ? Digital Integrated Circuits2nd Wires 中华民族有着五千多年的文明历史，中华民族在世界上是一个非常卓越和伟大的民族。我们有过繁荣昌盛的唐朝，有过强盛无比疆域辽阔的汉朝和元朝，更有灿烂美丽的唐、宋文化 数字集成电路 第四讲 导线 简介 在集成电路发展的大部分时间里，芯片上的互连线的影响在设计中被忽略。 随着工艺的发展，在深亚微米/超深亚微米，导线引起的寄生效应对电路性能的影响越来越大。－－速度、能耗和可靠性等 仔细分析半导体工艺中互连线的作用和特性对于数字集成电路设计极为重要。 在集成电路中构成导线的因素 金属：铝、铜 多晶硅 实现源区和漏区的重掺杂n＋和p＋扩散层 导线的寄生参数效应 电容、电阻和电感 使传播延时增加，性能下降 影响能耗和功率分布 都会引起额外的噪声来源，从而影响电路的可靠性 在分析和设计过程中，如果考虑所有节点的所有寄生效应，不现实！！！ 导线 schematics physical 一个总线网络中每条导线把一个或多个发送器连至一组接收器。每条导线由一系列不同长度和几何尺寸的导线段构成。 假设所有导线段都在同一互连层上实现，并且通过一层绝缘材料与硅衬底隔离以及相互隔离 芯片上互连线的影响 导线模型 All-inclusive model Capacitance-only 分析过程中对模型进行简化 如果导线的电阻很大，或者外加信号的上升和下降时间很慢，则电感的影响可以忽略；（电流变化的微分速度） 当导线很短，