幻灯片9-离子导电-四探针法.pptVIP

作业 1.设离子晶体晶格常数为0.5nm，振动频率为1012(Hz)，势垒u=0.5eV，求室温（T=300k)下离子的迁移率。 2.根据下表的数据，计算NaCl的电导率(设T=300k)。 3.假定将一个Na原子由Na晶体内部移至表面所需能量为1eV，计算300k下肖特基空位的浓度。 4.除离子晶体外，以其它方式（如共价键）结合的晶体是否存在典型的离子导电性？;§2.3 离子导电;载流子－带电荷的正负离子。;1F = 96500库仑;二.离子导电理论;Frenkel defect：晶体内部的离子由于热运动离开点阵跳进间隙位置，形成填隙离子，留下个空位。由这种方式产生空位和间隙离子，Frenkel首次提出。常存在于纯净的卤化银晶体中。填隙离子与空穴浓度相等。; (2) 杂质电导:载流子浓度取决于杂质的数量和种类。离子活化能小， 低温下起主导作用。 ;对跃迁几率的理解： 间隙位置上的杂质原子，位于高度为u的势阱内。温度为T???，由于热涨落，1s内此原子仅在exp(-u/kT)的那部分时间内具有足够高的热能越过势垒。若以ν表示原子的特征振荡频率，则在1s内某一个时刻原子具有足够的热能而越过势垒的概率为; 加电场E，晶体中间隙离子的势垒不再对称，电荷为q的离子在电场E中的附加能量为-qEx。所以X方向势垒的变化如图所示。; 故载流子沿电场方向的迁移率为 ;3．电导率 (1)本征离子电导率:一般表达式为;(2)杂质离子电导率:一般表达式为;三.扩散与离子电导;离子电导与扩散;2．Nernst-Einstein方程 ;晶体处于热平衡，由Boltzman定律，; 四、影响离子电导率的因素 ; 3.缺陷: 缺陷的引入必然导致晶格畸变，从而影响导电率。 a.热激励 b.不等价固溶掺杂 c.正、负离子计量比随气氛的变化发生偏离;玻璃经验电阻率公式 理论公式;五. 应用 1.分离膜、透氧膜、燃料电池、质子导体、锂离子导体。 2.氧离子导体：LaM(Mn、Fe、Co)O3-8，过渡金属氧化物。强磁场下 这些材料的电导率变化达105－巨磁组材料。作大电流开关。中、 高温度下电导率大。 3.快离子导体 ;4. 探测器：立方稳定氧化锆（CaO-.ZrO2) －固体电解质氧探头;ZrO2氧敏元件;六.电导的测量方法 ; 2.电桥法： 惠斯顿单臂电桥无法消除引线???阻和接触电阻，测量范围 10～106欧姆。 双臂电桥测量范围10-1～10-6欧姆，用于金属电阻的测量。 3.电位差计法:导线电阻不影响电位差计的电势Vx、VN的测量。双 刀开关接通下端，测VN，接通上端，测Vx。待测电阻 Rx=RNVx/VN。核心：恒定直流电通过试样和标准电阻. 双刀开关上下连通，电路如右图，不对。; ;直流四探针法－仪器;3.原理：在理论计算中，如果带电体系局限在有限大小的空间里，通常选择无穷远点为电位的参考位置。r处的电位为;一个点电流源对距离r处点的电势的贡献;v1 vR v2; 5：消除温差电势 样品变温时，两端温度不同，存在温差电势VT。此电势于电流方向无关。 ;;电阻法分析应用－固溶度曲线