机械剥离制备的石墨烯对壳聚糖复合薄膜导电性的影响-材料物理与化学专业论文.docxVIP

机械剥离制备的石墨烯对壳聚糖复合薄膜导电性的影响-材料物理与化学专业论文.docx

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万方数据 万方数据 Classified Index:TB 332 Dissertation for the Master Degree in Engineering Influence of Mechanical Exfoliated Graphene on the Conductivity Property of Graphene/Chitosan Film Candidate: Lai Wen-wei Supervisor: Wang Yong-liang Academic Degree Applied for: Master of Engineering Specialty: Materials Physics and Chemistry Date of Oral Examination: March, 2016 University: Harbin University of Science and Technology 哈尔滨理工大学硕士学位论文原创性声明 本人郑重声明:此处所提交的硕士学位论文《机械剥离制备的石墨烯对 壳聚糖复合薄膜导电性的影响》,是本人在导师指导下,在哈尔滨理工大学 攻读硕士学位期间独立进行研究工作所取得的成果。据本人所知,论文中除 已注明部分外不包含他人已发表或撰写过的研究成果。对本文研究工作做出 贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式注明。本声明的法律结果将完全 由本人承担。 作者签名: 日期: 年 月 日 哈尔滨理工大学硕士学位论文使用授权书 《机械剥离制备的石墨烯对壳聚糖复合薄膜导电性的影响》系本人在哈 尔滨理工大学攻读硕士学位期间在导师指导下完成的硕士学位论文。本论文 的研究成果归哈尔滨理工大学所有,本论文的研究内容不得以其它单位的名 义发表。本人完全了解哈尔滨理工大学关于保存、使用学位论文的规定,同 意学校保留并向有关部门提交论文和电子版本,允许论文被查阅和借阅。本 人授权哈尔滨理工大学可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文,可以 公布论文的全部或部分内容。 本学位论文属于 保密 ,在 年解密后适用授权书。 不保密√ (请在以上相应方框内打√) 作者签名: 日期: 年 月 日 导师签名: 日期: 年 月 日 哈尔滨理工大学工学硕士学位论文 哈尔滨理工大学工学硕士学位论文 机械剥离制备的石墨烯对壳聚糖复合薄膜 导电性的影响 摘要 随着社会的发展,对材料的要求更偏向于多功能化。石墨烯具有良好的 导电性,广泛应用于导电材料,电化学传感器等领域。壳聚糖具有良好的生 物相容性和成膜性,在医药和生物工程方面有广泛的应用。本论文制备了具 有导电性和生物相容性的石墨烯/壳聚糖复合薄膜,并研究了石墨烯形貌、 表面状态及添加量等参数对石墨烯/壳聚糖复合薄膜导电性能的影响规律。 论文采用球墨法机械剥离制备石墨烯(G1(球墨过程中加入了壳聚糖) 和 G2(球墨过程中未添加壳聚糖)),将其分别添加到壳聚糖中构建具有石 墨烯导电通路的石墨烯/壳聚糖复合薄膜,并将复合薄膜与还原氧化石墨烯/ 壳聚糖(RGO/CS)复合薄膜进行对比。首先采用四探针法和万用电表法, 研究了三种不同石墨烯以及不同石墨烯添加量对石墨烯/壳聚糖复合薄膜导 电性的影响规律。采取 TEM、SEM、XRD、FTIR、TG 和 Raman 等对的形 貌 、 片 层 大 小 、 在 壳 聚 糖 中 分 布 状 况 和 表 面 状 态 进 行 分 析 研 究 , 获 得 了 RGO、G1 和 G2 影响复合薄膜导电性能的机制。采用多元醇水热法制备银 纳 米 线 , 研 究 获 得 了 制 备 高 质 量 银 纳 米 线 ( AgNW ) 的 规 律 , 并 探索了 AgNW 和石墨烯共同添加对 AgNW /石墨烯/壳聚糖导电薄膜导电性的影响。 研究石墨烯/壳聚糖复合薄膜导电性发现,RGO/CS 复合薄膜在 RGO 添 加量为 8 wt%时体积电阻率达到 286.74 Ω?m,G1/CS 复合薄膜在 G1 添加量 为 6 wt%时体积电阻率为 81.25 Ω?m,而 G2/CS 复合薄膜在 G2 添加量为 4 wt%时体积电阻率为 349.71 Ω?m;当复合薄膜添加石墨烯的量相同时,其导 电性 G2/CS>G1/CS>RGO/CS。为了获得 RGO、G1 和 G2 对石墨烯/壳聚 糖复合薄膜导电性的作用机制,对 RGO、G1 和 G2 的形貌、片层大小、分 散性和表面状态进行了分析表征。结果表明 RGO 具有较小的片层厚度和片 层尺寸,然而表面含有较多的缺陷,导致 RGO/CS 复合薄膜导电性较差。 论文机械剥离制备的 G1 和 G2 所获得的石墨烯/壳聚糖复合薄膜导电性均高 于 RGO/CS,这是由于机械剥离制备的 G1、G2 的表面含有

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