环状导电高聚物中对称破缺现象和禁闭效应的物理根源-理论物理专业论文.docxVIP

摘要本文研究了环状导电高聚物中对称破缺现象和禁闭效应的物理根源。 摘要 本文研究了环状导电高聚物中对称破缺现象和禁闭效应的物理根源。 导电高聚物依据其基态是否简并可以分为简并基态的高聚物和非简并基态的 高聚物。聚合物基态简并性的不同决定了体系载流子种类的不同。黑格等首先提 出孤子(soliton)模型，来解释聚乙炔的电导及其他物理性质。但是，聚吡咯、聚噻 吩和聚对苯撑等同样具有导电性质的聚合物有非简并基态，不能形成孤子，只能 形成极化子(polaron)和双极化子(bipolaron)。 本文的理论基础是准一维体系的电子结构理论，这一基础理论建立在一维体 系的Peierls不稳定性的基础之上，准一维体系理论给出了导电聚合物中的孤 子、极化子、激子等概念，并成功地解释了以这些“粒子”为载流子的导电现象。 在此基础上，苏武沛、Schrieffer和Heeger等合作建立了著名的SSH模型用以 解释聚乙炔的电子结构和一维的Peierls相变。对于简并基态的高聚物其体系用 SSH哈密顿量可以很好的描述，对于非简并基态的高聚物Brazovskii引入了禁 闭项(一1)“f。来描述，但是因为这种方法没有考虑环状结构给体系带来的影响，因 而过于简单，只适用于诸如顺式聚乙炔这样简单的非简并基态高聚物，而对于聚 噻吩、聚毗咯这样带有环状结构的复杂导电高聚物来说，这种解决方式不再适用。 本文从体系的环状结构出发，考虑branch hopping项对体系的影响，进而对 SSH哈密顿量作相应的修改，用数值模拟的方法对对称破缺项(一驴t的物理根源 做出了解释。计算结果显示，考虑branch—hopping项(分支跃迁)后的哈密顿模 型可以证明环状高聚物体系的主要特征。从物理的角度解释了环状导电聚合物中 对称破缺现象和禁闭效应出现的原因。 关键词：导电高聚物、环状结构、branch-hopping项、对称破缺、禁闭效应 AbstractWe Abstract We studied the odgm of symmetry breaking and confinement effect in conducting polymers with ring structures in this paper． There are two categories of polymers，one has degenerate ground states， which does not have ring structure；the other one does not have degenerate ground states．but it has ring structure．These two kinds of polymers have姐 important difference in their carriers．For the first kind，soliton and anti—soliton axe main carriers；and for the second，the main carriers are polaron or bipolaron。 Theoretical foundation of the present work is theories of electronic structure in one·dimension systems，which is established on the Peierls unstable properties of 1D systems．The theories showed US concepts of kinks，solitons， excitons of conducting polymers，and successfully explMned the conducting phenomenon of these”particles”as carriers．W．P．Su．Schrieffer and Heeger founded the famous SSH model and explained the electronic structures of polyacetylene and the Peierls phase—transform of ID systems．In theory,the conducting polymers is well described by the SSH Hamiltonian，but it can be used only for the degenerate polymers．In order to describe the noll