以电沉积法制作大面积氧化铮薄膜与奈米柱阵列.pdf

191 技術學刊第二十四卷第三期民國九十八年 Journalo fTechnology, Vol. 24, No. 3, pp. 191-196 (2009) 以電沉積法製作大面積氧化錚薄膜與奈米柱陣列 游政家 葉身穿民 吳鳳技術學院光機電暨材料研究所 摘要 ZnO 薄膜由於具許多優良性質，如壓電、導電及光發射等特性，因此在感 測器、表面聲波元件、透明導電膜及螢光材料等許多方面引起很大注意力。在 本實驗中，我們使用定電位與定電流兩種電沉積方式在 ITO 玻璃上生長 ZnO 薄膜，以研究其不同之沉積機制。同時，藉由 XRD 、 SEM 、 EPMA 、 EDS 和 UV-Visible 等分析儀器，觀察量測電沉積 ZnO 之晶體結構、表面形態及光穿 透率。由 XRD 可得知優選方位為 (002) ，其繞射峰強度會隨沉積時間和酸鹼 值增加而增大。此外， SEM 顯示電沉積ZnO 為六角柱狀晶粒，其 ι 軸生長方 向是垂直於底材。實驗結果亦顯示，在定電位沉積模式下，所沉積的 ZnO 薄 膜，結晶顆粒較小，均勻度和光穿透率較高;光穿透率在700 rnn 時約為 90% 。 同時我們也利用 AAO 模板電沉積 ZnO 奈米柱，利用 SEM 及AFM 進行觀察 其成長情形。 關鍵詞:氧化錚薄膜，氧化錚奈米柱陣列，電沉積，陽極氧化鋁模板。 LARGE AREA ZnO FILMS AND NANOROD ARRAYS BY ELECTRODEPOSITION Jeng-Jia You Yih-Min Yeh Graduαte Institute ofOpto-Mechαtronzcs αndMαterzαls WuFeng Institute ofTechnology Chia-yi, Taiwαn 621 , R.G. C K句I Words: ZnO filn芯， ZnO nanorod a位ays， electrodeposition, AAO template ABSTRACT Zinc oxide (ZnO) films have attracted much attention for use as sensors, surface acoustic wave elements, transparent conductive film, and fluorescent materials because of their piezoelectric effec郎， conductive C宜郎郎， light emission effec郎，