集成器件的高功率微波效应研究与相应防护集成电路系统设计专业论文.docxVIP

The analysis on the integrated devices’ High Power Microwave effect and the protection A Dissertation Submitted to Xidian University In Candidacy for the Degree of Master In Integrated Circuit and System Design By Chen Quan Xi’an, China January, 2013 西安电子科技大学 学位论文创新性声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。 本人签名： 日期 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究 生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保 留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内 容，可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，毕业后 结合学位论文研究课题再攥写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。（保密的 论文在解密后遵守此规定） 本学位论文属于保密，在 年解密后适用本授权书。 本人签名： 日期 导师签名： 日期 摘 摘 要 摘 要 本文主要以高功率微波(HPM)作用下的器件失效为研究对象，基于 HPM 效应 实验中发现的器件失效现象，结合仿真进行失效机理分析并探讨防护方法。针对 HPM 效应实验中发现的 CMOS 闩锁效应，通过初步仿真，推测了 HPM 诱发下 CMOS 反相器发生闩锁的机理。在考虑 HPM 的电压特性(正弦电压信号，存在负 值)后，分析了 MOS 晶体管中寄生电容的分布特性。并在原先的 CMOS 反相器寄 生电路模型基础上，加入了栅到衬底的沟道电容，形成新的闩锁触发机理。进一 步的仿真说明，输入的变化通过沟道电容在衬底内引入了一个充放电电流，电流 足够大时可以触发闩锁。对于 HPM 效应实验中发生的晶体管特性退化与畸变，则 通过仿真模拟了 HPM 作用下晶体管的工作过程。仿真发现，晶体管能达到的晶格 最高温度取决于外加的功率。结合高温诱发的晶体缺陷模型，通过仿真模拟了缺 陷导致的晶体管特性曲线畸变与退化。仿真结果与实验结果有相同的趋势。针对 HPM 作用引起的器件失效，分析了如何在器件结构与电路层级进行防护，在传统 的防护方式以外，仿真分析了特定方法对 HPM 诱发的失效的抑制作用。 关键字: 高功率微波效应 CMOS 闩锁效应 晶体管畸变与退化 热缺陷 高功率微波诱发的集成电路基础器件失效机理研究 AB ABSTRACT ABSTRACT This paper focuses on the study of high power microwave (HPM) effect on IC devices. Based on the failure results found in the HPM effect experiments, an analysis on the failure and the protection is concerned. For the CMOS latch-up occurred in the HPM effect experiments, a triggering mechanism is given after the first-step simulation. Given the HPM voltage signal characteristics (a sinusoidal signal with negative voltages), the distribution of channel capacitance of MOS transistor is taken into account. Based on the previous model of the CMOS parasitic circuit, the gate-to-body channel capacitance is added, forming a new parasitic circuit. The si