半导体物理与器件课程设计完美版.docVIP

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2019-05-01 发布于山东
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半导体物理与器件课程设计完美版.doc

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PAGE PAGE 5 半导体物理与器件课程设计学院：广陵学院班级：微电81201 姓名：学号：时间：2018年6月25日地点：扬州大学江阳路北校区19#612机房利用silvaco 软件对二极管进行工艺流程和电学参数的仿真一、实验目标结构二极管二．二极管的工艺流程首先是硅片制备，单晶生长-单晶硅锭-单晶去头径向研磨-定位边研磨-硅片切割-倒角-粘片-硅片刻蚀-抛光-清洗-评估检查-包装，硅片制备后是氧化-淀积-金属化-光刻-刻蚀-离子注入-化学机械平坦化-测试-装配封装三．以下是利用silvaco 软件进行仿真的程序 go athena \\“器件仿真”\\ # line x loc=0.00 spac=0.2 \\“X轴设置步长”\\ line x loc=1 spac=0.1 line x loc=1.1 spac=0.02 line x loc=2 spac=0.25 # line y loc=0.00 spac=0.02 \\“Y轴设置步长”\\ line y loc=0.2 spac=0.1 line y loc=0.4 spac=0.02 line y loc=2 spac=0.5 # init silicon c.phos=5.0e18 orientation=100 \\“初始化c.phos = = 5.0e18”\\ # deposit oxide thick=0.50 divisions=5 \\“淀积氧化物厚度= 0.50”\\ # etch oxide left p1.x=1 \\“蚀刻左边氧化物”\\ # implant boron dose=1.0e15 energy=50 pearson tilt=7 rotation=0 amorph \\“ 植入硼剂量= 1.0e15” \\ implant boron dose=1.0e14 energy=50 pearson tilt=7 rotation=0 amorph \\“ 植入硼剂量= 1.0e14” \\ implant boron dose=1.0e13 energy=50 pearson tilt=7 rotation=0 amorph \\“ 植入硼剂量= 1.0e13” \\ # method fermi compress diffus time=30 temp=1000 nitro press=1.00 \\“扩散时间= 30 温度= 1000”\\ # extract name=xj xj material=Silicon mat.occno=1 x.val=0 junc.occno=1 # extract name=rho sheet.res material=Silicon mat.occno=1 x.val=0 region.occno=1 etch oxide all \\“ 蚀刻所有的氧化物”\\ deposit alum thickness=0.2 div=3 etch alum right p1.x=1.0 electrode name=anode x=0.0 electrode name=cathode backside structure outf=diodeex05_0.str tonyplot diodeex05_0.str -set diodeex05_0.set \\“画图”\\ go atlas models bipolar bbt.std print impact selb method newton trap maxtrap=10 climit=1e-4 solve init log outf=diodeex05.log \\“输出文件”\\ solve vanode=-0.25 vstep=-0.25 vfinal=-10 name=anode tonyplot diodeex05.log -set diodeex05_log.set \\“画图”\\ extract init infile=diodeex05.log extract name=bv min(v.anode) extract name=leakage x.val from curve(v.anode,abs(i.anode)) where y.val=1e-10 quit \\“ 退出”\