第三章 溅射镀膜.pptVIP

* 　 离子束溅射技术中所用离子源可以是单源、双源和多源。虽然这种镀膜技术所涉及到和现象比较复杂，但是，通过合适地选择靶及离子的能量、种类等，可以比较容易地制取各种不同的金属、氧化物、氮化物及其它化合物等薄膜。特别适合制作多组元金属氧化物薄膜。 目前这一技术已在磁性材料、超导材料以及其它电子材料的薄膜制备方面得到应用。 此外，由于离子束的方向性强，离子流的能量和通量较易控制，所以也可用于研究溅射过程特性，如高能离子的轰击效应、单晶体的溅射角分布以及离子注入和辐射损伤等。 * * The End * * * * * * * * * * * * 一．二极溅射 被溅射的靶（阴极）和成膜的基板及其固定架（阳极）构成了溅射装置的两个极 。因溅射过程发生在阴极，又称阴极溅射。 * * 　　射频二极溅射 ：使用射频电源 直流二极溅射 ：使用直流电源 平面二极溅射：靶和基板固定架都是平板状 同轴二极溅射：靶和基板都是同轴圆柱状布置 直流二极溅射原理： *用膜材制成阴极靶，并接上负高压，为了在辉光放电过程 中使靶表面保持可控的负高压，靶材必须是导体。 *工作时，先将真空室预抽到高真空（如10-3Pa），然后， 通入氩气使真空室内压力维持在1～10Pa时，接通电源使在 阴极和阳极间产生异常辉光放电，并建立起等离子区，其 中带正电的氩离子受到电场加速而轰击阴极靶，从而使靶 材产生溅射。 * * * 直流二极溅射放电所形成电回路，是依靠气体放电产 生的正离子飞向阴极靶，一次电子飞向阳极而形成的。 而放电是依靠正离子轰击阴极进所产生的二次电子，经 阴极暗区被加速后去补充被消耗的一次电子来维持的。 因此，在溅射镀膜过程中，电离效应是必备的条件。 * 直流二极溅射的工作参数为溅射功率、放电电压、气体 压力和电极间距。溅射时主要监视功率、电压和气压参 数。当电压一定时，放电电流与气体压强的关系如 图3－32所示。 * * * * 优点：结构简单，可获得大面积膜厚均匀的 薄膜。 缺点： （1）溅射参数不易独立控制，放电电流易 随电压和气压变化，工艺重复性差； （2）溅射装置的排气系统，一般多采用油扩散 泵，但在直流二极溅射的压力范围内，扩散 泵几乎不起作用，主阀处于关闭状态，排气 速率小，所以残留气体对膜层污染较严重， 薄膜纯度较差； * * （3）基片温升高（达数百度左右）、淀积速率低； （4）靶材必须是良导体。 措施： （1）设法在10-1Pa以上的真空度下产生辉光放电， 同时形成满足溅射要求的高密度等离子体； （2）加强靶的冷却，在减少热辐射的同时， 尽量减少或减弱由靶放出的高速电子对基片 的轰击； （3）选择适当的入射离子能量。 * * 二．偏压溅射 特点： (1)它与直流二极溅射的区别在于基片上 施加一固定直流偏压。若施加的是负偏压， 则在薄膜淀积过程中，基片表面都将受到 气体离子的稳定轰击，随时清除可能进入薄膜表面的气体，有利于提高薄膜的纯度。并且也可除掉粘附力弱的淀积粒子，加之在淀积之前可对基片进行轰击清洗，使表面净化，从而提高了薄膜的附着力。 (2)偏压溅射还可改变淀积薄膜的结构。 直流偏压溅射的原理示意如图3-33。 * * * * 　　三．三极或四极溅射 原理：在真空室内附加一个热阴极，由它发射电子并 和阳极产生等离子体。同时使靶相对于该等离子体为负 电位，用等离子体中的正离子轰击靶材而进行溅射。如 果为了引入热电子并使放电稳定， 再附加第四极—稳定 化电极，即称为四极溅射。 优点： （1）克服了二极直流溅射只能在较高 气压下进行的缺点， 因为它 是依赖离子轰击阴极所发射的 次级电子来维持辉光放电。 * * * （2）三极溅射的进行不再依赖于阴极所发射 的二次电子，溅射速率可以由热阴极的发射 电流控制，提高了溅射参数的可控性和工艺重复性。 （3）四极溅射的稳定电极使放电趋于稳定。 * 缺点： (1)三（四）极溅射还不能抑制由靶产生的高速 电子对基板的轰击，特别在高速溅射的情况 下，基板的温升较高； (2)灯丝寿命短，也还存在灯丝的不纯物使膜层沾 污等问题。 (3)这种溅射方式并不适用于反应溅射，特别在用 氧作反应气体的情况下，灯丝的寿命将显著缩短。 四.射频溅射 射频溅射装置如图3-38所示。相当于直流溅射装置中的直流电源部分改由射频发生器、匹配网络和电源所代替，利用射频辉光放电产生溅射所需正离