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内层显影、蚀刻、褪膜培训教材 撰写人：何树荣 日期：6/1/1999 培 训 教 材 Page 1 目 录 工艺流程及原理 工艺参数 工序中常见问题及解决方法 废液处理 展望 培 训 教 材 Page 2 一、工艺流程 显影 蚀刻 褪膜 显 影 缸 1 蚀 刻 1 蚀 刻 2 水 水 水 洗 洗 洗 1 2 3 褪 褪 膜 膜 1 2 水 水 水 收 洗 洗 洗 板 1 2 3 放 板 显 影 缸 2 水 水 水 洗 洗 洗 1 2 3 水洗 培 训 教 材 Page 3 工艺原理 A、显影 （1）定义 显影：利用碳酸钠的弱碱性将干膜上未经紫外线辐射的部分用碳酸钠溶液溶解，已经紫外线辐射而发生聚合反应的部分保留。 培 训 教 材 Page 4 （2）原理 C03-2 + Resist-COOH HCO3- + Resist-COO- CO3-2 主要为Na2CO3 或K2CO3 Resist-COOH为干膜及油墨中反应官能基团 显影原理：利用CO3-2与阻剂中羧基（-COOH）进行酸碱中和反应，形成COO-和H CO3- ，使阻剂形成阴离子团而剥离。 培 训 教 材 Page 5 B、蚀刻 （1）定义：将溶解了干膜（湿膜）而露出的铜面用酸性氯化铜溶解腐蚀，此过程叫蚀刻。 培 训 教 材 Page 6 (2)原理： Cu +C uCl2 CuCl2 (CuCl2不溶于水) C uCl2 + 4Cl- 2[CuCl3]2- (3)影响蚀刻过度的因素 影响蚀刻过度的因素很多，影响较大的是溶 液中Cl- 、Cu1+的含量，溶液的温度及Cu2+的 浓度等。 培 训 教 材 Page 7 Cl-含量的影响 在氯化铜蚀刻液中Cu2+和Cu1+实际上是以络离子的形式存在。在溶液Cl-中较多时， Cu2+是以[Cu2+Cl4]2-络离子存在， Cu1+是以[Cu1+Cl3]2-络离子存在，所以蚀刻液的配制和再生都需要Cl-参加反应，下表为氯离子溶度与蚀刻速率关系。 培 训 教 材 Page 8 水溶液 2N HCl溶液 4N HCl溶液 6N HCl溶液 培 训 教 材 Page 9 从图中可以看出，当盐酸溶度升高时，蚀刻时间减少，但超过6 N酸其盐酸，挥发量大，且对造成对设备的腐蚀，并随着酸浓度的增加，氯化铜的溶解度迅速降低。 添加Cl-可以提高蚀刻速率的原因是：在氯化铜溶液中发生铜的蚀刻反应时，生成的CuCl2不易溶于水，则在铜的表面形成一层氯化亚铜膜，这种膜能阻止反应的进一步进行，过量的Cl-能与Cu2Cl2结合形成可溶性的络离子[Cu1+Cl3]2-，从铜表面上溶解下来，从而提高蚀刻速率。 培 训 教 材 Page 10 Cu1+含量的影响。 根据蚀刻反应，随着铜的蚀刻就会形成一阶铜离子，较微量的Cu1+ 例如4g/L Cu1+含在20g/L Cu2+的溶液中就会显著地降低蚀刻速率。 根据奈恩斯物理方程： 0.59 Cu2+ E=E0 + lg n Cu1+ E=指定浓度下的电极电位 n=得失电子数 [ Cu2+]二价铜离子浓度 [ Cu1+] 是一价铜离子浓度 培 训 教 材 Page 11 Cu1+浓度与氧化--还原电位之间的关系 培 训 教 材 Page 12 溶液氧化一还原反应位与蚀刻速率的关系 从图中可以看出，随着Cu1+浓度的不断升高，氧化还原电位不断下降。当氧化还原电位在530mv时，Cu1+浓度低于0.4g/l能提供最理想的高的和几