电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第二章 双极型晶体三极管（BJT）2.1.1.ppt

1 第二章 双极型晶体三极管（BJT） 概述 晶体二极管：单向导电性 晶体三极管：放大作用。半导体器件发展过程中的一次重大飞跃。 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,英文缩写BJT） 场效应管（Field Effect Transistor,英文缩写FET）：单极型 2.1 BJT工作原理 2.1.1 BJT结构与符号 三个独立的掺杂区和两个PN结构成的三端器件，可分为NPN管和PNP管两种类型，如图所示。 三个区： 发射区（Emitter）——发射载流子的区域 基 区（Base）——传输载流子的区域 集电区（Collector）——收集载流子的区域 三个极: 发射极（e），基极（b）和集电极（c） 两个结: 发射结（e结），集电结（c结） 2.1.2 放大状态下BJT内部载流子的传输过程 当BJT的发射结正偏、集电结反偏，NPN管内载流子的运动情况。 1.发射区多子向基区扩散（又称注入） 发射区自由电子（多子）向基区注入（扩散），形成电流 。 基区空穴向发射区注入，形成空穴注入电流 。两电流之和构成发射极电流 。 发射极电流的主要部分是自由电子形成的电流，即 2.基区非平衡少子向集电结方向边扩散边复合 由于基区的空穴浓度很低，且基区很薄，只有很少部分的自由电子被基区空穴（多子）复合，形成基区复合电流 。 由PN结的原理，反偏集电结还存在着集电结反向饱和电流 。 因此，基极电流： 3.集电区收集基区非平衡少子 扩散到达集电结边界的基区非平衡少子（自由电子），在电场力的作用下均被抽取（漂移）到集电区，形成集电极电流的主要成分 。 因此，集电极电流为： 综上所述，晶体管各电极的电流有如下关系 4.放大偏置时的电流关系 （1） 与 的关系 集电极电流 的主要成分 是由发射极电流 转化而来的，为了反映扩散到集电区的电流 与发射极电流 的转化比例关系，定义共基极直流电流放大系数为 显然 ，一般约为0.97～0.99。由式（2.5）可得 与 的关系 由于 往往很小（对硅管尤其如此），工程上一般用下式来近似 （2） 与 的关系 为了反映扩散到集电区的电流 与基区复合电流 之间的比例关系。定义共发射极直流电流放大系数 为 其物理意义是：基区每复合一个电子，则需 个电子扩散到集电区去。通常 （超 管 可能大于1000）。 由式（2.8）整理可得 式中 是基极开路（ ）时，集电结与发射极之间流过的穿透电流，即 因 很小，在忽略其影响后，则有 将式（2.6）代入式（2.4），则可得到关系 将式（2.13）与式（2.8）对比，可得关系 例2.1 PNP管直流电路如图2.3所示，图中 。当断开B点时，微安表的读数为240μA，当断开E点时，微安表的读数为6μA，试求该管的 和 。 解：直流电压 及 的方向和大小表明该管处于放大偏置。断开E点时微安表读数是集电结反向饱和电流 ，断开B点时微安表读数是穿透电流 ，即 2.1.3 放大偏置BJT偏压与电流的关系 双极型晶体管是电流控制器件。 控制各极电流变化的真正原因是发射结正向电压的变化。 集电结反向电压的变化对各极电流也有影响。 1. 发射结正向电压 对各极电流的控制作用——BJT的正向控制作用 发射结电流 实际上就是正偏发射结的正向电流: 当发射结正偏电压 增加时，正向电流