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摘
摘 要
钙钛矿型锰氧化物巨磁电阻材料由于其独特的磁学和输运性质日益受到人们的关
注,其载流子的输运机理也是近年来研究的热门课题。目前,广泛地为人们接受的是 z口∥提出的双交换相互作用理论∞D“6肠E砌4憎口知^M删∞,DFA另一种理论是 彳^“口ndmv和占阳f幻w砂提出的电流载流子密度坍塌f白,陀刖已州er DeHs渺CD耽娜P一
一ccDc)理论。在本文中,我们研究了四价离子在锰位掺杂对锰氧化物材料性能的影 响,并比较了上述两种理论的适用性和合理性;同时,我们还研究了爿位空穴锰氧化 物体系中^彻仉八面体的结构畸变,以及对磁学特性和电导行为的影响。
在四价钛离子掺杂的L%,o。。^如q材料中,随着掺杂量的增加,体系的磁化强 度减弱而删一删相变展宽,四价钛离子掺杂将体系分割成大小不一的铁磁团簇,这 些铁磁团簇之间的自旋耦合减弱,由此导致了体系的磁化强度减弱和肼一删相变展
宽,对于掺杂量x≥D.川|勺样品,铁磁团簇的尺寸极小以至于团簇之间几乎没有相互作
用,铁磁团簇的自旋随意取向,所以,体系中的肼一脚相变逐渐转变为顺磁到自旋 玻璃态相变。对应于体系的磁学性质的变化,通过分析电子输运性质发现,四价钛离 子掺杂体系的电阻率随掺杂量的增加而增大,绝缘体一金属相变温度向低温端位移,
在重掺杂区,由于载流子空穴的强局域化,体系在总个温区内都显示出绝缘体性质。 在绝缘性顺磁态中,载流子的输运机制为极化子的可变程跃迁,而在铁磁相变区,电 阻率和热电势曲线显示出相互矛盾的输运特性,当热电势曲线表现为金属行为时,电 阻率曲线仍然属于绝缘体特性。此外,四价钛离子掺杂极大地增强了钙钛矿结构稀土 锰氧化物的巨磁电阻效应。
为了电阻率与热电势测量结果相互矛盾的反常现象,我们提出了两级铁磁相变模 型,锰位n“离子掺杂将胁“一D’~胁“共价结构链分割成大小不一的团簇,这些团 簇的形成导致了铁磁相变分两级进行:其一是团簇内部的铁磁有序化,其二是铁磁有 序的团簇之间的铁磁有序排列。热电势曲线显示的上M相变与团簇内部的铁磁有序化相 一致,这说明团簇内部的铁磁有序化使得极化子推局域而形成巡游电子,在这一级相
变中,由于团簇自旋的无序排列,团簇之间的载流予输运属于可变程跃迁机制。在% 温度以下,团簇磁矩相互铁磁有序排列,载流子输运表现为金属性,对应于团簇的长
程铁磁有序。对于x≥n川|勺样品,虽然热电势在低温下为金属行为,但电阻率曲线在
中国科学技术大学博士学位论文
中国科学技术大学博士学位论文 摘要
总个温区都表现为绝缘体特性,这个矛盾起源于团簇界面和由胁“~D。一n“共价结 构组成的绝缘基体的增大。所以,锰位乃“离子掺杂可导致类团簇自旋玻璃态的形成, 我们提出的两级铁磁相变电阻率和热电势结果显示的输运性质的差异。
我们系统地研究了缺钙稀土锰氧化物体系工%67cno Jh^如q f0≤z≤D.33)的磁 学和输运性质,磁化强度结果显示对于x≥0j0的样品其M—r曲线在铁磁相变后出现 强度台阶,这说明高缺钙量样品中存在二次铁磁相变,对应于这个二次相变,高缺钙
量样品的电阻率温度关系曲线也显示出两个电阻峰,而且低温端的电阻峰相对于主电 阻峰的比值随缺钙量和外加磁场的增加而逐渐增强,此外,c口位空穴还可在红外光谱 中引起新的^如D6八面体拉伸声子模的吸收峰,预示着。位空穴体系中^如仇八面体
的键长和键的强度都不同的两种胁l~DrJJ(顶点氧)键。根据以上实验结果,我们提
出在缺钙稀土锰氧化物体系中存在两类不同的畸变JjI知仉八面体:一类是胁“离子的
.玎效应导致的Ml仇八面体畸变;另一类是C口位空穴引起的肺l仇八面体悬挂顶点氧 导致的胁仇八面体畸变。所以在纯相结构的4口Dj锰氧化物体系中,爿位空穴可引起 两种不同性质的刀效应同时出现,从而导致。位空穴体系中出现二次铁磁相变和绝
缘体一金属相变。 我们分别运用DE理论和cCDc理论研究了乃“掺杂体系上%,c如,^翻,。EDJ伊5_s
n口刀的电导特性,并提出了一个模型,相对磁化强度/.r纠=肘r列/M一作为一个重
要物理量可分别应用于DE理论和CcDC理论。在DE理论中,磁化强度直接反映了 极化子推局域成为巡游电子的过程,即吖r,表示了巡游电子分数;在CcDC理论中, 胁“离子的磁化强度盯可表示为,rrJ。在DE理论中,金属性铁磁畴中的巡游电子 是可传导的,而极化子只能在绝缘性顺磁畴输运,在n,相变温区,体系的电导率是极
化子和巡游电子的电导率之和,通过应用我们的模型,发现DF理论可以得到与电阻 率的实验数据非常一致的拟合结果。相反,CCDE理论的拟合结果严重偏离电阻率实 验曲线,这种严重偏差可能是由于不适当的理论假设,也就是,假设载流子密度随温 度改变而迁移率与温度无关是不正确的。根据以上论述我们可以得出结论,双交
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