日本太阳能电池的最新开发动向.PDFVIP

日本太阳能电池的最新开发动向 陕西科技大学 韩讲周（编译） 太阳能电池与地球环境、能源问题息息相关。2004 年其产量已 经超过1GW ，还在进一步发展。占太阳能电池产量90%的晶体硅电 池也有薄型化的趋势。另一方面，制作太阳能电池的硅原料已严重不 足，急需开发新产品代替晶体硅电池，现在已开发出的有薄膜硅太阳 能电池、化合物薄膜太阳能电池、有机膜太阳能电池、色素感光太阳 能电池等。本文对各类型太阳能电池开发的动态，逐一进行介绍。 一、 阳光发电技术分布图与开发动向 京都议定书已于2005 年2 月生效，这表明人们对地球环境、能 源问题非常关心。 1990 年的温室效应，使日本决定每年将排气量削减6%，这样就 会对阳光、风力等自然能源的期待越来越高。新能源·产业技术综合 开发机构（NECO ）计划的2030 年太阳能发电分布图（PV2030 ）是 2004 年6 月制定的。PV2030 设想到2030 年将扩大太阳能的利用。 家用电力有一半即占整个电力的10%将来自太阳能。 为了达到上述目标，计划分阶段进行，即到2010 年发电成本降 到23 日元/kWh ；2030 年普通用电费用将低于7 日元/kWh 。因此， 现在是以晶体硅为主，到2010 年，还会有薄膜硅太阳能电池、以及 铜（Cu ）、铟（In ）、硒（Se）即（CIS ）类薄膜太阳能电池加盟，正 式投入市场。 2010 年转化效率的目标值，晶体硅电池是16%、薄膜硅电池是 12%、CIS 类电池是 13%、色素感光电池是6%。2030 年转化效率的 目标值是晶体硅电池达到22% 、薄膜硅电池达到18%、CIS 类电池达 到22%、色素感光电池达到15%。 本文对上述各种太阳能电池的市场情况及太阳能电池的开发动 向进行具体介绍。现在太阳能电池市场上结晶Si 电池占90% 以上。 但结晶Si 材料短缺，电池本身还存在晶片的薄型化等问题，以薄膜 太阳能电池为首的新型太阳能电池，已经开始进行商品化研究。无论 如何都会达到PV2030 的。 近年来太阳能电池产量增加速度惊人。图 1 是太阳能电池年生产 量的变化情况，可以看出太阳能电池的生产量一般，相对于2001 年 的增长率，2002 年至2003 年是34%、2003 年至2004 年达到57% 。 2004 年产量为1,180MW，已经超过1GW。图1 显示现有生产太阳能 电池的各材料占的比例，包括单晶和多晶的晶体硅太阳能电池占太阳 能总产量的90% 以上。生产企业有夏普、京瓷、三菱电机、三洋电机， 分别占世界太阳能电池生产量的第一、第二、第三、第五位。这4 个 公司生产的太阳能电池占世界产量的一半以上。 随着太阳光发电技术的进展，日本太阳能电池制造业的发展也是 惊人的。硅原料非常短缺是制造业面临的大问题，直至今日，太阳能 电池用的硅原料是LSI 等半导体产业用剩下的材料或次品、废品。最 近几年随着太阳能电池生产量的迅速增长，硅原料供不应求，已经影 响到太阳能电池的生产。由于受硅原料的影响，预计2005 年太阳能 电池的产量与前一年度相比，增长率还不到20% 。为了解决硅原料不 足，除了完备太阳能电池生产专用设备外还要对原材料进行有效利用， 并发展其它类型的太阳能电池。 对按太阳能电池的级别来使用硅原料的各种方法进行研究，トク ャマ公司研究的VLD （vapor to liquid deposition ）法引人注目。トク ャマ公司2005 年底的年生产能力是200t/年。VLD 法在实践中得到验 证，现已开始着手建设大规模的生产工厂。用VLD 法制作的硅原材 料中碳（C ）浓度是传统半导体用硅原料的10 倍，重金属浓度则高 了数倍，用得到的硅原料制作太阳能电池，太阳能电池的使用寿命、 效率与用传统硅原料制作的太阳能电池相同。对硅原料有效利用的方 法还有：现在晶片的厚度是200~300μ m ，希望晶片的厚度更薄一些。 对晶块线切割工序中的脱离方法进行研究，如：剥离下一片硅材料， 放上一片价格低廉的陶瓷基板。也对高温化学气相成长法（CVD ）进 行了研究。立命馆大学和クリ- ンベンチャ-21 、京瓷等提出用球状硅 可以有效的利用硅原料。该方法是在10m 高的塔内，将熔融的硅由 喷嘴喷出，形成直径为1mm 的球状硅，该球状硅具有成型规整的特 点。用该方法可以防止线切割晶块时产生废品，有效的利用了硅原料。