香港物理奥林匹克竞赛辅导资料库仑定理,电场,电势场,叠加原理.docVIP

1 库仑定理，电场，电势场，叠加原理 点电荷(I的电场为 E(C二絢—其中佥三1/4亦。(1) |厂一门 点电荷q作用于在F处的试验电荷e的力为 eE(r) o此乃库仑定理，由实验结果总结而来。 电势场 (2). 在产处的试验电荷幺的势能为e7(r) 在产处的试验电荷幺的势能为e7(r) o V(72)-V^ = -\Edl ⑶ 和积分路径无关 屯场，屯势场叠加原理(由实验结果总结而來) 如电荷分布为°(尸)，则在产处的电势场 ?=聊禺此如心川雋加 ⑷ 电场为 恥)二心出切C加(5) 唯一性定理：显然，从(4) (5)式可见，如果°(尸)已给定，则V(“和￡(戸)是唯一 的。此说法反过来也成立，但光从该式子不易看到。下面会详细讲述。 2 高斯定律 高斯定律 TOC \o 1-5 \h \z ^- = ^EdS (6) 这里E是总电场，但0是包在面S里的总电荷。用散度定理甘庁岛=出宀￡)血可得 S v 微分形式： 三芈■ +竽2- +学= (6a) ox dy dz 例?1：用点电荷验证(6)式. 取一半径为厂的球面，以点电荷所在位置戶=0为球心，则电场在球面任何电均于球面 垂直，其值为幾球面面积为伽2,因此E?dE = 4加2耳=4衣q = 2 W r~ 巴 r ￡n 高斯定律在一些具对称性的问题很有用。 例?2: 计算一无限长均匀带电导线的电场和电势。 解： 首先做对称性分析，可知电场沿径向并只和半径尸有关. 如图取一高斯面，上下面无电场穿过，穿过侧面的屯通量为 ItitLE =—?由此的E = —^—. h r2Edr = -f同样电势V（r） h r2 Edr = -f 2化简为 V(r) = ln(r)。——dr =—^― ln(—) ，-! 2 岔 2 2 化简为 V(r) = ln(r)。 ans. 3 导体 导体带有无穷的自由电荷（通常是电子加上一固定正电荷背景）。达到稳态后导体内 无电场，无电荷，整个导体为一等电势体，电荷都分布在导体表面。 处理导体这类问题的最大难处在于：我们只知道每个导 体是等电势体，和其总带电量，但不知道电荷在导体表 面的具体分布，从而无法利用上述的式子来得到空间的 电场/势的分布。如果空间无电荷，则解决的方法是找 方程V2r（r） = 0符合所给边界条件的解。 镜像电荷 Uniqueness theorem: Given the potential on the surface of a closed space and the charge distribution in the space, the potential (and electric field) in the space is uniquely determined. 唯一性定理：在一闭合空间，如果已知在空间的电荷分布以及每个表面的电势，则电 势/电场在空间的分布是唯一的。 例?3 在一维持在电势/的导体内有一小洞，里面放一点屯荷“ 不管用 哪个方法维持电势（接个电池，或放个电荷0在一适当位置，等 等），只要导体的屯势/不变，小洞里的电场分布不会改变。 同样，不管导体内部如何(拿走电荷g,小洞开大，变型，等等)，只要能维持导体 的电势7不变，导体外的电场分布也不变。ans. 导体表面电荷密度和压强 在离一面很近的位置，该面总可以被当作是一无穷大的平面。去一小方盒，一面在导 体内，一面在导体外，用高斯定律很易证明导体外电场为E = o,并垂直于表面。 现在计算压强。考虑一小面(面积 A)的受力。该力不等于因为 E是包括了该小面上电荷的贡献的 总电场。 小面产生的电场为￡ =丄刃勺，扌旨 2 向两边。 其余的平面上的电荷应产生的电场为 E = l(r/e()f指向右边。这样总电场才 2 是必o指向右边。 因此小而受力为F = —(72A,压强为P = —cr2o ans. TOC \o 1-5 \h \z 2q 2q — 镜像电荷法:在一闭合空间处用一电荷分布来产生和原来相同的电势边界条件，以便求 出闭合空间内的屯势/电场。 例?5 —点电荷g放在离一接地无穷大平板导体〃处. 求电场。 _q q 解： ? ? 电场/势在X VO为零。 在x0的空间，其边界在x = 0,边界条件为V(x = 0) o =0o这一,IW形是由导体上的感应电荷和在x = d的点 电荷g共同引起的。 放一镜像点电荷-q在兀=-处。它处于所考虑的x 0的空间以外，和q 一起也使 r(x = 0) = 0,因此在x 0的空间的电场和由这一对电荷所产生的一样。 ans. 注意：考虑电场/势在x 0时彳、能用点电荷-g在x = -〃，因为该空I可原无电荷。 课余练习：完成余下的计算，求电场，板上感应电荷分布和总电荷，点电荷受板上电 荷的力。