利用对靶磁控溅射在不同衬底上制备氧化钒薄膜的研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

摘要氧化钒薄膜作为非制冷红外探测器的热敏材料，要求具有高的电阻温度系数 摘要 氧化钒薄膜作为非制冷红外探测器的热敏材料，要求具有高的电阻温度系数 (TCR)与合适的电阻值，以满足器件的应用。本文利用直流对靶磁控溅射的方 法在玻璃、Si02／Si、氮化硅以及多孔硅4种不同对衬底上制备氧化钒薄膜，得到 的薄膜不但具有高TCR与适当的室温电阻，而且具有良好的结构特性。 采用正交实验法设计实验，对氩氧比例、工作压力、溅射功率、溅射时间以 及衬底温度进行了研究，分别得到了4种衬底的最佳制备工艺。玻璃衬底的最佳 参量为氩氧比例48secm／0．4sccm，工作压力2Pa，溅射功率210．240W，溅射时 间30分钟，衬底温度是室温；Si／Si02衬底的最佳参量为氩氧比例48sccm／0．4sccm， 工作压力2Pa，溅射功率180．210W，溅射时间30分钟，衬底温度室温；氮化硅 衬底的最佳参量为氩氧比例48sccm／0．5sccm，工作压力2Pa，溅射功率210W， 溅射时间30分钟，衬底温度200℃；多孔硅衬底的最佳参量为氩氧比例 48．5sccm／1．5SCCIll，工作压力1Pa，溅射功率210—220W，．溅射时间60分钟，衬 底温度400℃。每种衬底的优化工艺都可以使TCR优于一3％／℃，方块电阻值也能 控制在50k．Q／o以下，其中多孔硅衬底上的氧化钒薄膜呈现出相变特性。 原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)形貌分析表明这些薄膜具 有均匀致密的表面，X射线光电子能谱分析(XPS)确定了其成分组成主要为 V205、V02和少量的v203。对电阻和TCR关系的研究表明，一般高TCR的薄膜阻 值也高，这与薄膜成分有关，提高V02的含量可以降低阻值，同时也可以保持较 高TCR值。 对玻璃衬底和Si／Si02衬底的样品进行了退火，实验结果表明退火可以改善薄 膜的结构特性，提高TCR值。在氮化硅衬底上研究了溅射功率的影响，表明高溅 射功率会使薄膜表面结构变差。 关键词： 氧化钒薄膜电阻温度系数直流对靶磁控溅射衬底 ABSTRACTAs ABSTRACT As the detecting material of uncooled infrared detectors，vanadium oxide(VOx) thin films need high temperature coefficient of resistance GCR)and suitable film resistance for using of the device．In this paper,vanadium oxide min films were prepared on glass substrate，Si02／Si substrate，silicon nil晒dc substrate and porous silicon substrate with facing targets DC reactive sputtering technique．The VOx min films have hi曲TCR values，suitable film resistances and good structure performance． The effects of the parameters including ratio ofAr／02，sputtering power, sputtering time，working pressure and substrate temperature on the performance of vanadium oxide也ill films are analyzed by choosing different level of these parameters in the orthogonal experiment．The optimal deposition parameters ofCOx thin films were defined as follow：on glass substrate，working pressure：2．0 Pa，gas flow ratio：Ar：02=48seem：0．4seem,substrate temperature：room temperature， sputtering power：2 1 0W-240W,sputtering time：30 minutes；On Si02／Si substrate， working pressure：2．0 Pa，gas flow ratio：Ar：02=48seem：0．4seem,substrate temperature：r