GaAs太阳电池结构.pptVIP

* 如果要想使产生的电流最大化，那么太阳电池要能尽量捕捉太阳光谱中的光子才行，因此越小带隙的材料越能达到这目的。但是小带隙的材料却会导致比较小的光电压，而且一些具有较高能量的光子（亦即比较短的波长），它高出带隙的能量并不会转换成电能，而是以热的形式浪费掉 如果选择大带隙的材料将会导致较小的光电流。 单结太阳电池的设计 1、GaAs太阳电池的结构 在传统单结太阳电池的设计上，通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱中间的材料，才可达到最大的理论效率。也就是说，最佳的太阳电池材料的带隙约为1.4～1.5eV之间。 这些单结的太阳电池材料的理论效率都在30%以下。 由于单结太阳电池只能吸收和转换特定光谱范围的太阳光，因此能量转换效率不高。 多结太阳能电池，按带隙宽度大小从上至下叠合起来，选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量，就能大幅度提高电池的转换效率。 多结太阳电池的设计 1、GaAs太阳电池的结构 多结太阳能电池可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量，大幅度提高电池转换效率。 多结太阳能电池，越上层的电池带隙越大。 1、GaAs太阳电池的结构 单结GaAs/Ge太阳电池 为了克服GaAs/GaAs太阳电池机械强度较差、易碎的缺点，1983年起逐步采用Ge替代GaAs制备为衬底。 1、GaAs太阳电池的结构 多结GaAs/Ge太阳电池 讨论分析 1、带隙排列？ 2、为什么制备多结？ 1、GaAs太阳电池的结构 多结GaAs/Ge太阳电池 多结GaAs电池，按带隙宽度大小叠合，可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量，大幅度提高光电转换。 理论计算表明：双结GaAs太阳电池的极限效率为30%，三结GaAs太阳电池的极限效率为38%，四结GaAs太阳电池的极限效率为41%。 小结 单结太阳电池，通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱中间的材料，才可达到最大的理论效率。 多结太阳能电池，可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量，大幅度提高电池的转换效率。 多结太阳能电池中，越上层的电池带隙越大。 多结太阳能电池中，越下层的电池带隙越小。 LPE是NELSON在1963年提出的一种外延生长技术。其原理是以低熔点的金属(如Ga 、In 等)为溶剂,以待生长材料(如GaAs、Al 等) 和掺杂剂(如Zn、Te 、Sn 等)为溶质,使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态,通过降温冷却使溶质从溶剂中析出,结晶在衬底上,实现晶体的外延生长。 2、GaAs太阳电池两种制造技术 LPE（liquid phase epitaxy）技术——液相外延 LPE技术优缺点： 优点： 缺点： LPE 设备成本较低,技术较为简单,可用于单结GaAs/ GaAs 太阳电池的批量生产。 异质界面生长无法进行、多层复杂结构的生长难以实现，外延层参数难以精确控制,这限制了GaAs 太阳电池性能的进一步提高。 20世纪90年代初，国外已基本不再发展该技术，但欧、俄、日等地区和国家仍保留LPE 设备,用于研制小卫星电源。 MOCVD是MANASEVIT在1968年提出的一种制备化合物半导体薄层单晶的方法。 其原理是采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的金属有机化合物Ga(CH3)3、Al(CH3)3、Zn(C2H5)2等和Ⅴ族、Ⅵ族元素的氢化物(PH3、AsH3、H2Se) 等作为晶体生长的源材料,以热分解的方式在衬底上进行气相沉积(气相外延) ,生长Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其三元、四元化合物半导体薄膜单晶。 MOCVD（metal-organic chemical vapor deposition）技术 ——金属有机化学气相外延 2、GaAs太阳电池两种制造技术 小结 GaAs太阳电池有两种制备技术，为LPE和MOCVD。 LPE（liquid phase epitaxy ）为液相外延法； MOCVD（metal-organic chemical vapor deposition）金属有机化学气相外延法。 70 年代中期至90 年代中期 国内均采用LPE技术研制GaAs电池。 90 年代中期 国内开始采用MOCVD 技术研制GaAs 电池。 在1988 年9 月 发射的FY21A 星上,进行了我国首次GaAs 电池的卫星标定试验 。 在1990 年9 月 发射的FY21B 星上,进行了4 W 组合件的电功率输出试验。 2001 年1 月发射的“神舟3号”飞船和2002 年5 月发射的“海洋21”卫星上,进行了单结GaAs 电池的搭载试验。 3、GaAs太阳电池国内外应用 1970 年和1973 年 前苏联发射的“月行器”Ⅰ、Ⅱ宇宙飞船上装有实验用GaAs 电池。 1984 年 在“礼炮7 号”飞船的主帆板上安装了1 个GaAs电池方阵。 1983