半导体敏感元件(光敏) .ppt

5.光生伏特效应器件-光电二、三极管 光控晶闸管结构与原理 只要有足够强度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成为通导状态，而后即使撤离光源也能维持导通，除非加在阳极和阴极之间的电压为零或反相，才能关闭。 三种模式： 光伏型、光导型和场效应型 灵敏度高，非线性较大 线性应用 通过RG在栅上加负电压，无光照，管截止。有光照时，在栅源PN结处产生光生电动势，光生电流流过RG。 6. 光敏场效应晶体管 7.光电耦合器件 光隔离器 发光元件和光电传感器封装在一个外壳内组合而成。 光电耦合器 以光为媒介进行耦合来传递电信号，可实现电隔离，在电气上实现绝缘耦合，因而提高了系统的抗干扰能力。 7.光电耦合器件 光电传感器 光电转速传感器-透射、反射 8.电荷耦合器件 (a)结构和工作原理 使源端半导体表面达到强反型的栅压。 阈值电压 VT= VFB + VB + Vox 源端强反型时的VGS 平带电压 降在MOS结构上的自建势 降在半导体上的压降，强反型时为－2φf 降在栅氧化层上的压降QBM/Cox 8.电荷耦合器件 结构和工作原理 (a)栅压UG较小时，MOS电容器处于耗尽状态。 (b)栅压UG增大到开启电压 Uth时 ,半导体表面的费米能级高于禁带中央能极, 半导体表面上的电子层称为反型层。 (a)光注入 (b)电注入 (c)硅本身热激发注入 势阱中电荷产生方法： 8.电荷耦合器件 存储与转移信息电荷。 (c) 在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。 （a）必须使MOS电容阵列的排列足 够紧密，以致相邻MOS电容的势阱相互沟通。 (b) 控制相邻MOC电容栅极电压高低来调节势阱深浅，使信号电荷由势阱浅的地方流向势阱深处。 信号电荷的转换 CCD的基本功能 特性参数 8.电荷耦合器件 (1)转移效率 当CCD中电荷包从一个势阱转移到另一个势阱时，若Q1为转移一次后的电荷量，Q0为原始电荷，则转移效率定义为 若转移损耗定义为 则电荷进行N次转移时，总转移效率为 要求转移效率必须达到99.99％－99.999% 特性参数 8.电荷耦合器件 (2)存贮时间与暗电流 暗电流起因于热激发产生的电子－空穴对。暗电流把势阱填满需要的时间Ts为存贮时间 （3）工作频率 下限频率决定于少子寿命 上限频率决定于电荷转移速度 电荷的转移运动在电场作用下的漂移运动和浓度梯度产生的扩散运动，在电荷转移后期，热扩散起主要作用。 沈 阳 工 业 大 学 半导体光电传感器 1.半导体的光吸收 Eg EC EV hv 本征吸收 激子吸收 自 由 载 流 子 吸收 杂质吸收 + + 2.光电效应 在光线作用下，物体的导电性能发生变化(光电导效应)或产生光生电动势的效应（光生伏特效应）。 内光电效应 热平衡无光照时PN结能带图 有光照时PN结能带图 外光电效应 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。 光电倍增管 光电管 真空光电管的伏安特性 2.光电效应 3.光电管 光电管的基本特性 （1）光照特性 通常指当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通量与光电流之间的关系。 （2）光谱特性 对不同波长区域的光，应选用不同材料的光电阴极。 保持光通量和阴极电压不变，阳极电流与光波长之间的关系。 3.光电管 光电管的基本特性 -应用光电传感器的主要依据参数。 （3）伏安特性 当极间电压高于50V时，光电流开始饱和，所有的光电子都达到了阳极。真空光电管一般工作于饱和部分。 （4）其他特性 暗电流：无光照射时，光电流不为0。 温度特性：受温度的影响。 稳定性和衰老：短期稳定性好；入射光越强，衰老速度快。 4.光电导效应器件-光敏电阻器 光敏电阻器及其测量电路 无光照时 有光照时 本征光电导 杂质光电导 杂质吸收系数小于本征吸收系数，杂质中激发的光生载流子浓度较小 a. 工作原理 玻璃 光电导层 电极 绝缘衬底 金属壳 黑色绝缘玻璃 引线 (B)典型结构 (A)刻线式结构 电极 电极 光导体 光敏电阻器的封装结构 4.光电导效应器件-光敏电阻器 b. 结构 C 设计 提高光电导效应的措施 A降温 B选高阻半导体材料 影响光敏电阻（光电导管）灵敏度的因素 若一块均匀N型CdS半导体，稳态条件下，光电导主要由电子贡献 已知：光电增益 为光生电流； 光电管每秒吸收光子数； 为量子产额； 产生非平衡载流子的光子数 吸收光子数