半导体技术应用于太阳能.pptVIP

中联科利太阳能制绒设备特点 CUC 兼容性 采用不同的耐腐蚀及兼容性材料，提高材料对单多晶工艺的可兼容性。两面风淋隔离，顶部外加洁净单元，利用三面气流的导向作用，迅速排放单多晶制绒所产生的腐蚀性气体，避免了气体的窜槽现象，解决了槽间的相互影响，从而实现单多晶工艺兼容。国内设备大多没有考虑到酸碱腐蚀隔离问题。 洁净单元 两面风淋隔离 溢流 腐蚀性气体 中联科利半导体技术优势在太阳能设备中的具体应用 关键技术 CUC 先进的气路控制系统： 在设备的顶部增加洁净单元，利用气流体的导向作用实现挥发的腐蚀性气体以及生成气体快速排放 洁净单元 排风口（负压） 溢流 传统的制绒槽：排风口在顶部，碱性蒸气易在壁上形成结晶，酸气易形成粘稠 中联科利先进的气流控制系统，消除了酸碱蒸气的影响 延长设备寿命 改善操作环境 增加洁净度 避免二次污染 保证质量 关键技术 CUC 传统的制绒设备采用简单的自然溢流 我们的设备采用四周圆齿状的结构，消除了表面张力的影响，实现均匀溢流，循环无死角 普通的槽体设计 中联科利的槽体设计 溢流 全溢流的循环槽体设计 关键技术 CUC 自动补液系统的应用 预热、恒温、预混合的全自动补液系统 配合循环槽体可实现去除反应产物的功能 保持药液的最佳状态 关键技术 CUC 自动补液系统的应用 多点检测 ，冷热恒温，管路加热 全自动的补液循环系统 最优的补液点控制 关键技术 日本资深专家严格的生产流程控制，洁净的生产环境，使太阳能的设备具有半导体设备的品质。选用满足半导体要求的管件、材料。 CUC 半导体优良加工工艺的应用 关键技术 CUC 高速伺服马达 　快速平稳传送、冲击小 　　高效的生产效率 　　提高生产量 　　降低碎片率 关键技术 机械臂提升部整体包覆PP板； 花篮挂钩采用进口耐腐材料； 金属框体外露部均有防腐包板。 CUC 设备防腐措施 关键技术 采用QDR技术 成倍提高清洗效果 CUC 提高清洗效果的对策 快排时间：≤5S 关键技术 CUC PLC控制系统,智能化的管理 　　根据不同厂商不同批次硅片，预设工艺控制方案。保证生产的系统性以及连续性，实现产能的最大化。 设备的系统管理 生产过程的全程记录，工艺偏离或设备异常的报警装置，保证了生产的顺利进行。 CIM通讯技术的应用 实现工厂的远程控制及自动化管理　 Company Logo LOGO 第三代半导体清洗技术及 在太阳能电池领域的应用 北京中联科利行销部 2008年4月12日 半导体清洗技术的发展 半导体清洗技术发展史 1970 1980 1990 2000 2005 2010 ?2″ 1k ?4″?5″?6″ 64k(3μm) ?8″ 4M (0.8μm) ?12″ ?18″ 4k(10μm) 256k (2μm) 16M (0.6μm) 256M (0.25μm) 4G (90nm) 64G (40nm) 16k( 6μm) 1M (1.3μm) 64M (0.4μm) 1G (0.18μm) 16G (65nm) (35nm) RCA清洗工艺 研发出来 RCA (SC1+SC2) 改良RCA (SC1+SC2DHF+SC3) 机能水 (DIW+O3/NH3) 硅片的尺寸发展 CPU芯片发展 存储器芯片发展 半导体清洗技术 发展 CUC 半导体清洗设备的发展趋势 半导体清洗设备的发展是依据硅片尺寸变大及工艺技术的进步而不断提高的: 从手动设备发展到自动有花篮设备是为适应工厂大批量生产； 从自动有花篮设备发展到自动无花篮设备是为提高清洗效果； 从自动无花篮设备发展到单晶圆清洗设备是为适应12寸IC芯片清洗； CUC 半导体清洗技术的发展 半导体清洗设备的发展 70 ~ 80年代，以旧工艺为代表、手动操作式的清洗机为第一代清洗设备，无药液自动补偿控制。 80 ~ 90年代，以RCA工艺技术为基础、采用PLC控制的自动硅片清洗机为第二代清洗设备。 90 ~ 00年代，无花篮式自动处理设备及改良型RCA工艺使用，针对大尺寸硅片，达到高清洗效果的清洗机为第三代清洗设备。 21世纪~ ，基于第三代清洗技术、采用机能水工艺以满足低于0.1μm线宽、低K值、多层配线等生产工艺要求的自动硅片清洗机，挑战湿法清洗工艺的极限。 CUC 半导体湿法工艺面临的挑战 湿法工艺的发展焦点主要集中在： ? 降低缺陷率：主要指particle去除数目和效率； ? 选择比：根据化学药液对不同材料的刻蚀速度不同来达到既刻蚀目标又不损伤图形、衬 底、或衬底上的薄膜（由药液的种类改良而定）的目的； ? 表