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GaN微电子器件的发展前景分析
摘要:本文介绍了 GaN材料的优良特性以及工艺上存在的问题;着重介绍了 GaN微电子器件的发展和应用; GaN器件的前景和市场。
关键词:GaN; GaN材料;GaN器件
The Research of the GaN Microelectronic Devices
Abstract: This paper introduced the properties of GaN materials and the problems existing in the process. The paper discussed the development and applications of the GaN microelectronic devices. The paper also described the future and market demand of the GaN microelectronic devices.
Keywords:GaN; GaN material; GaN microelectronic devices
1引言
以Si和GaAs为代表的传统半导体材料,其器件在抗辐射、高温、高压和高功率的要求 己逐渐不能满足现在电子技术的发展。宽禁带半导体(SiC、GaN等)电子器件,可以应用在 高温、高压、高频和恶劣的坏境中,如雷达、无线通信的基站及卫星通信。GaN禁带宽度大、 击穿电压高、电子饱和漂移速度高,具有优良的电学和光学特性以及良好的化学稳定性,使 其在高频大功率、高温电子器件等方面倍受青睐,宽禁带半导体己成为微电子学新领域,是 当代半导体科学技术最重要的前沿领域之一。
2 GaN材料
GaN材料性质
GaN是一种很稳定的化合物并且显示了很强的硬度,它的宽禁带、高饱和速度以及高的 击穿电压有利于制造成为微波功率器件。GaN是一个非常稳定的化合物并且展现出很强的硬 度。正是这种在高温下的化学稳定性再结合其硬度特性,使氮化镇被制成了一种具有吸引力 的防护涂层材料,有利于制造高温器件。
GaN材料结构与特性
GaN材料具有两种晶体结构,分別为六方对称的纤锌矿结构(见图1 (G)和立方对称的 闪锌矿结构(见图1 (b))。通常条件下,GaN以六方对称性的纤锌矿结构存在,纤锌矿结 构是由两套六方密堆积结构沿c轴方向平移5c/8套构而成,它的一个原胞屮有4个原子, 原子体积大约为GaAs的一半。但在一定条件下也能以立方对称性的闪锌矿结构存在。闪锌 矿结构则由两套面心立方密堆积结构沿对角线方向平移1/4对角线长度套构而成。这种现象 在III族氮化物材料中是普遍存在的,称为多型体现象(Polytypism)。
O o°c q c C
O o
°
c q c C
O DO T
图1 (a) GaN纤锌矿晶体结构
图1 (b) GaN闪锌矿晶体结构
纤锌矿GaN材料的物理特性见表其质地坚硬,熔点较高,且化学性质非常稳定⑶, 但是离子刻蚀(R1E)可以有效地对GaN进行刻蚀,从而促进了 GaN器件的发展。GaN材料具 有较高的电子漂移饱和速度和电子迁移率,室温下其电子迁移率可以达到900 cm2/V?s,从 而使其非常适于制做髙速器件。另外,GaN材料电击穿强度高、漏电流小,使其适于制作高 压器件。
表1纤锌矿GaN的物理特性
带隙能量带隙温度系数
带隙能量
带隙温度系数(T-300K)
带隙压力系数(T=300K)
热膨胀系数(T=300K)
热导率
折射率
Eg (300K) =3.39eV
Eg (1.6K) =3.50eV
dEg /dT=-6.0X10“ cV/K d Eg /dP=-4.2X IO5 cV/Mpa Aa/a=5.59X10_6K Ac/c=3.17X106K k=1.3W/cm ? K
n(leV)=2.33 n(3.38eV)=2.67
2.3 GaN材料的缺点与问题
在理论上rti于其能带结构的关系,其中载流子的有效质量佼大,输运性质佼差,则低电 场迁移率低,高频性能差。
现在用异质外延(以蓝宝石和SiC作为衬底)技术生长出的GaN单晶,还不太令人满意, 例如位错密度达到了 10^10lo/cm2 ;未掺杂GaN的室温背景载流子(电子)浓度高达10l7/cm3, 并呈现出n型导电;虽然容易实现n型掺杂,但p型掺杂水平太低(主要是掺軀),所得 空穴浓度只有1017107cm3,迁移率<10cm2/V. s,掺杂效率只有0. 1%?1%。
总Z,从整体来看,GaN的优点弥补了其缺点,而制作微波功率器件的效果还往往要远 优于现有的一切半导体材料。
3 GaN微电子器件的发展
3.1 GaN常见微电子器件的发展
3? 1?1 GaN 基 MOSFET
采用GaN制作
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