镀膜技术CVD课程教学课件.pptxVIP

化学气相沉积(CVD——Chemical vapor deposition);Chemical vapor deposition, CVD;Chemical vapor deposition, CVD;Chemical vapor deposition, CVD;Chemical vapor deposition, CVD;Chemical vapor deposition, CVD;Chemical vapor deposition, CVD;Chemical vapor deposition, CVD;;;;;;;;;等离子体增强CVD（PECVD，Plasma Enhanced CVD）： 在低压化学气相沉积过程进行的同时，利用辉光、电弧、射频、微波等手段促使反应气体放电产生等离子体，从而对反应沉积过程施加影响的CVD技术。 基本特征： ■ 应用等离子体的CVD方法；■ 采用低温等离子体（当地温度?、电子温度??）；■ 沉积时，基片温度很低；■ 薄膜性能比其它CVD方法更佳。;等离子体增强CVD（PECVD，Plasma Enhanced CVD）： PECVD沉积薄膜的主要微观过程： ;等离子体增强CVD（PECVD，Plasma Enhanced CVD）：;等离子体增强CVD（PECVD，Plasma Enhanced CVD）：;直接激发式微波谐振型 PECVD装置： ① 工作原理： ? 谐振腔套在石英管之外，微波天线 (同轴线的内导体) 将微波能量耦合至谐振腔内后，在腔内形成微波电场 的驻波并引起谐振。 (工业用微波频率一般为2.45 GHz，波长12 cm) ? 通有反应气体的石英管穿过微波电场幅值最大的谐振 腔中心部位，当微波电场强度超过气体击穿场强时， 气体电离形成等离子体。 ? 在等离子体下游放置基片并调节至合适的温度， 就可获得CVD薄膜的沉积。 ② 主要优点： ■ 无电极放电，不存在污染问题；■ 微波能量更高，可在低压下实现气体电离，等离子体的电荷密度更高，薄膜成分更纯净。;电子回旋共振（ECR，Electron Cyclotron Resonance）PECVD： ① 工作原理： ? 微波能量由长方形波导窗耦合进入反应器，使其中的反应气体击穿电离形成等离子体。 ? 为进一步提高等离子体的电荷密度，还外加一个与微波电场相垂直的磁场。 电子受力：;电子回旋共振（ECR，Electron Cyclotron Resonance）PECVD： ① 工作原理： ? 电子在流场压力及电磁场的共同作用下，一方面向下游移动，一方面还以谐振频率发生高速回旋运动， ? 电子运动路径?? ? 电子与气体分子发生碰撞促使其电离的几率??  ? 等离子体密度显著??（1012 e/cm3） ? ECR装置实际上就是一个超高电荷密度的离子源， 其产生的等离子体具有极高的电荷密度和活性！ ② ECR PECVD的基本特点： ■ 需要高真空环境：P = 10-1~10-3 Pa；■ 气体电离程度接近100%，比一般 PECVD 高 3个数量级以上；■ ECR离子束既是沉积物活性基团，又带有很高的能量。 ③ ECR PECVD的优势： ● ECR是方向、能量可控的离子源 ? 对复杂形状样品覆盖性好！● 沉积离子都带有几个eV能量 ? 改善表面扩散 ? 薄膜致密、性能好！● 低气压低温沉积、沉积速率高、无电极污染。 ④ 应用：广泛用于沉积硅酸盐、半导体、光学/光伏材料薄膜。;关于 PECVD的小结： ① PECVD不能替代其它CVD方法； ② PECVD 沉积的薄膜质量优于传统CVD； ③ PECVD 应用广泛，但成本可能很高； ④ PECVD的主要优点在于： ■ 低温沉积； ■ 薄膜的内应力小、不易破损； ■ 薄膜的介电性能好； ■ 化学反应没有温度依赖性。 课后思考题： 1、画出CVD的基本工作原理框图。 2、举例说明CVD的六种主要化学反应类型。 3、分析对比??光辅助CVD、光化学气相沉积和 PECVD的异同点。;有机金属化合物CVD（MOCVD，Metal Organic CVD）： 概念：利用低气化温度的有机金属化合物加热分解而进行气相外延生长薄膜的CVD方法， 主要用于各种化合物、半导体薄膜的气相生长。;有机金属化合物CVD（M