电子束曝光EBL培训.pptxVIP

微纳研究中心超净室系列讲座;电子束曝光概述 电子束曝光系统的结构与原理 CABL9000C电子束曝光系统及关键参数 电子束曝光的工艺程序 电子束曝光的极限分辨率 多层刻蚀工艺;1.1 电子束曝光是什么？ 电子束曝光（electron beam lithography）指利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的，是光刻技术的延伸。 ;光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。 紫外光波长:常用200~400nm之间 根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的波（加速电压为50kV，波长为0.0053nm）。这样，电子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米结构提供了很有用的工具。;1.2 电子束曝光有什么用？ 电子束曝光能够在抗蚀剂上写出纳米级的图形，利用最高级的电子束曝光设备和特殊显影工艺，能够写出10nm以下的精细结构。 纳米器件的微结构 集成光学器件，如光栅，光子晶体 NEMS结构 小尺寸光刻掩模板;离子泵;电子枪;电子枪准直系统;它与光学聚光透镜的原理相同，能够聚焦电子束的束径，使电子最大限度的到达曝光表面;偏转器用来实现电子束的偏转扫描。;最小束直径：直接影响电子束直写的最小线宽。 加速电压：一般10~100keV，电压越高，分辨率越高，邻近效应越小，同时可曝光较厚的抗蚀剂层。 电子束流：束流大，曝光速度快，但是束斑尺寸大，分辨率低。;扫描场大小：扫描场大，大部分图形可在场内完成，可避免多场拼接；扫描场小，精度高。 拼接精度：图像较大，需要多个场拼接。 ;生产公司;4.电子束曝光的工艺程序;4.1抗蚀剂工艺; 绘制曝光图案 样品传入（样品为导体或半导体） 选择束电流 低倍聚焦 选定曝光位置 在Au颗粒处调整像散 高倍聚焦，调节wafer Z=0，激光定位 参数设定（位置、剂量、图案数量等） 样品曝光 样品取出显影（ZEP-N50，1min） 曝光图案观察;电子束入射到抗蚀剂后，与抗蚀剂材料中的原子发生碰撞，产生散射。;邻近效应：如果两个图形离得很近，散射的电子能量会延伸到相邻的图形中，使图案发生畸变；单个图形的边界也会由于邻近效应而扩展。;邻近效应的校正;图形尺寸校正：通过改变尺寸来补偿电子散射造成的曝光图形畸变。 ; 1）稳定的工作环境：温度变化范围±0.2℃，振动2um以下，磁场变化在0.2uT以下。 2）高的电子束能量：高能量电子束产生的电子散射小，色差与空间电荷效应抵消，且有利于曝光厚的抗蚀剂层。高档次的电子束曝光机一般都在100keV。 3）低束流：低束流可以减小空间电荷误差，有利于获得更小的束斑。束流低会增加曝光时间，会使聚焦标记成像亮度降低，使对焦困难。 4）小扫描场：电子束曝光系统的偏转相差与扫描场大小有关，高分辨率应尽量使用小扫描场。;5）低灵敏度抗蚀剂：20nm以下的电子束曝光全部使用低灵敏度的抗蚀剂，例如PMMA等。 6）薄抗蚀剂层：减小抗蚀剂层可以减小散射，降低临近效应。 7）低密度图形：可以比较容易实现20nm的单一线条图形，却无法或很难实现20nm等间距的线条图形。 8）低密度、高导电性衬底材料：高密度的衬底材料产生的散射电子多，临近效应强；衬底导电性不好会产生电荷积累效应，影响曝光图形的精度。;;谢谢！