集成电路制造工艺与设备教学课件.ppt

曝光技术 光刻原理及工艺简介 （Photolithography) 工艺 光刻方法和装备 刻蚀 刻蚀：将掩蔽层图形向衬底层转移技术 高密度感应耦合（ICP）干法刻蚀机原理 高密度等离子体刻蚀机：等离子体源为高密度源，产生模式主要为感应耦合模式（ICP）、微波等离子体源，独立控制离子通量与能量 演化： 高低频ICP机台：采用高频源激发等离子体，同时采用低频源偏置基片 RIE：平板式干法刻蚀机，等离子体源由电场驱动产生，为容性耦合模式，可以产生相对较高的DC Bias，等离子体密度相对较低 演化： a. 磁增加模式：相对增加等离子体密度 b. 双频模式：上下两个基板分别加有功率源，等离子体源驱动功率源与基片偏置功率源分离，可以控制离子体通量 干法刻蚀机的分类 器件制作 光刻技术：自上而下，减法 选区生长：自下而上，加法 测量量 槽深 SiNx 厚 SiNx 下线宽 SiO2 厚 Si 上线宽 OCDi 测量值 (nm) 402.4 78.5 80.4 11 82.3 KLA 测量值 (nm) 403.7 77.9 80.5 11 81.5 65nm STI 量测结果比对 KLA IMECAS 光学线宽检测技术（OCD） 尽精微 集广成 多谢！ 智慧和汗水 使世界变得更好一点 思考题： More Moore Beyond Moore More than moore * 功耗： 65nm-10 W 45nm-100W 32nm-800W 22nm-100W 14nm-3.5W 功耗：90nm-414W 65nm-306W 45nm-270W 32nm-109W 22nm-77W 14nm-3.5W * * * * * 光学有关产品 如何研究科学 通过科学实验 建立物理模型，利用数学工具逻辑推导 学习，模仿（仿生） 思考 科学实验 H2+O2→H2O H2O → H2+O2 利用数学工具逻辑推导 科学的语言----数学 例：一班的同学人数比二班同学多一位, D1=D2+1 例: 数学的特点：准确、简单、可逻辑变换、 思考方式的扩展 仿生技术 信息量大大增加、主动性（思考）却在减少 文字阅读 一维 电视、电脑图像 二维 晚会 三维 文字阅读 掩卷而思 遐想连天 物体的能量和质量之间存在密切的联系，他们的关系是： 思考的力量 宇宙学家霍金。 你在思考吗! 高强度体验，被控制，零思考 读万卷书、行万里路、交八方友、想天下事 信息 思考 三、集成电路装备技术 材料 器件 测试 微电子设备分类 * 工艺制备 前道工艺技术 后道工艺技术 检测 在线 成测 可靠性 材料 清洗 制版 刻蚀 掺杂 减薄 通孔 电镀 键合 超临界 动态薄层 等离子 LPCVD PECVD ALD PVD MOCVD 涂胶 外延 氧化 SMART CUT EUV 双曝光 无掩膜 EBEAM ICP RIE 粒子刻 离子注入，等离子体注入 深刻蚀 电镀 Bond T-bond De-bond 倒装焊 键合机 光刻胶 Si SOI 应变硅 化合物 硅上化合物 封装陶瓷 配件： 193光源、镜头、光学系统 射频电源 机械手 分子泵、干泵、工件台 关键技术： 模拟、模型、设计 自动控制 光学对准、电校正 化学分析 等离子体 OCD AFMcd 缺陷检测 SEM 颗粒检测 磨片 CMP 薄膜 曝光 材料生长 硅 Si 碳 C 铜 Cu 铁 Fe 元素周期表 薄膜的制备 薄膜的制备 切、磨、抛 智能剥离 生长 多线锯、CMP 智能剥离 H+ 气相生长 CVD：PECVD、LPCVD、MOCVD PVD：磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发|PLD、MBE 等 ALD 薄膜生长的技术路线 CVD：气相沉积、形核长大，短程无序 SMART　CUT：固相转移， 长程有序 电镀：液相沉积，形核长大，长程无序、短程有序　 石墨 胶带 由程序（t1, Δt1, t2, Δt2 , t 3, Δt3 ,… ）控制完成2D材料的生长 t1,A 吸附， Δt1,吹扫 Δt2,吹扫 t2,B 吸附 ALD原理：利用