PN结二极管工艺流程图.ppt

PN结二极管的制备 主要内容： PN结二极管的制备 （0）准备 p-Si 1、制备单晶硅片 2、硅片表面的化学清洗 PN结二极管的制备 (1) 氧化 问题： 1、为什么要双面氧化？ 2、氧化层的厚度需要大于设计的厚度，为什么？ PN结二极管的制备 (2) 涂胶 问题： 1、涂胶过程 2、光刻胶分类，作用，常用的光刻胶？ 3、涂胶后，曝光前，对光刻胶加固的过程是什么工艺 PN结二极管的制备 Mask 1 黑色部分都是不透光的，中间的白色部分是做扩散的位置。 Mask的剖面图 PN结二极管的制备 （3）曝光 问题： 1、光刻的作用？ 2、图中使用的是正胶，如果用负胶如何修改工艺？ PN结二极管的制备 （4）显影 问题： 1、什么是显影工艺？ 2、显影液选择的注意事项。 PN结二极管的制备 （5）腐蚀 问题： 1、腐蚀分为哪两种形式，各有什么特点？ 2、选用腐蚀液要注意什么？ PN结二极管的制备 （6）去胶 1、通常用什么方法去胶？ 问题： PN结二极管的制备 （7）杂质扩散 1、硅片要经过适当的清洗后 2、应该扩散什么杂质 3、杂质扩散源有哪些 4、以液态扩散源简要说一下扩散的化学原理 5、这只是杂质的预淀积。 问题： PN结二极管的制备 (8)驱入 在未被氧化层保护的区域形成了n+-p结。 （n+中的“+”号表示高掺杂） 问题： PN结二极管的制备 （9）金属化 1、金属化的目的？ 2、淀积金属薄膜有几种方法？ 3、（低于或等于500oC）退火来改善金属层 与硅之间的欧姆接触。 问题： PN结二极管的制备 (10)涂胶 目的：通过光刻去除扩散结区域之外的多余的金属薄膜。 PN结二极管的制备 Mask 2 Mask 黑色部分都是不透光的，四周的白色部分是刻蚀金属的位置。 Mask的剖面图 问题：可不可以用Mask1？ PN结二极管的制备 (11)曝光mask2板 问题： 如果采用负胶，如何修改掩膜板Mask2？ PN结二极管的制备 (12)显影 问题：显影液的选择 PN结二极管的制备 (13)腐蚀 1、此次腐蚀的目的？ 2、腐蚀液的选择。 PN结二极管的制备 （14）去胶 PN结二极管的制备 流程总结 PN结二极管的制备 谢 谢！ 放映结束 感谢各位批评指导！ 让我们共同进步